40 V和100 V 器件通过AEC-Q101认证,与传统SOD/T封装二极管相比节省空间并提高了散热性能
什么是提高功率密度和能效的薄型贴装肖特基二极管?它有什特点?意法半导体新推出26款封装采用薄型SMA和SMB扁平封装、额定电压25-200V、额定电流1-5A的肖特基二极管。
本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。 此次,产品阵容中新增了更加小型的VML2封装(1.0×0.6
开关电源开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。随着电力
介绍无线通信接收器前端可能会因同步或异步信号传输形成过载[1],在时域双工系统中,交换器或循环器连接端口间的非完美隔离会造成前者,后者则由两个未相关系统天线间造成的
【导读】东芝公司日前表示,即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件,用以满足工业和汽车应用日益增长的需求。 摘要: 东芝公司日前表示,即将在兵库县姬路工厂量产SiC器件,用以满足工业和汽车应用日益增长的需求。关
21ic讯 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其 650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现
中国首次落实碳化矽大功率器件的大量生产,在以美、欧、日为主导的半导体领域形成突破。业内专家指出,这项突破可望缓解中国的能源危机。泰科天润半导体科技(北京)有限公司G2S06010碳化矽肖特基二极体产品鉴定会暨新
新器件以紧凑的占位面积实现系统效率提升21ic讯 美高森美公司(Microsemi Corporation) 扩展碳化硅(SiC)肖特基产品系列,推出全新的650V解决方案产品系列,新型二极管产品瞄
21ic讯 东芝公司宣布将扩充其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列,为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。SBD适用于多种应用
21ic讯 东芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布将扩充其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列,为其现有的6A、8A和12A产品阵容中增添一款10A产品。该产品将于即日起批量交付。SBD适用于多种应用,
开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低、快速恢复的特点,还应具有足够大的输出功率,可以采用以下三种类型的整流二极管:快速恢复整流二极管;超快速恢复整流二极管;肖
采用肖特基管的驱动保护
日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45。整流器采用高度0.95mm的表面贴装S
21ic讯 罗姆面向智能手机等便携设备开发出业界顶级的低VF小型肖特基势垒二极管“RBE系列”。本产品已经以月产500万个的规模开始量产,随着客户采用的增加,从2012年9月份开始将产能扩充为每月1000万个。此
21ic讯 英飞凌近日宣布推出第五代650V thinQ!TM SiC 肖特基势垒二极管,壮大其SiC(碳化硅)产品阵容。英飞凌荣获专利的扩散焊接工艺早已应用于第三代产品,如今又成功地与更紧凑的全新设计和最新的薄晶圆技术有机结合
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路,开发出实现业界最小※正向电压(VF=1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM&rdquo
21ic讯 罗姆株式会社面向太阳能发电功率调节器、工业设备、服务器和空调等的电源电路,开发出实现业界最小※正向电压(VF=1.35V)的第二代SiC(Silicon Carbide:碳化硅)肖特基势垒二极管“SCS210AG/AM&rdquo
5月14日消息,据媒体报道,主营业务为分立器件芯片、功率二极管、整流桥等半导体分立器件产品的研发、制造与销售的扬州扬杰电子,被指出过度依赖单一供应商,原材料成本高且波动大,进一步阻碍了该公司未来经营发展。
21ic讯 恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V.近日宣布推出面向移动设备市场的新一代低VF肖特基整流器,标志着其为小型化发展设立了新的重要基准。新款DFN1608D-2 (SOD1608) 塑料封装典型厚度仅为0.37 mm,尺寸为1.6