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我们能获得更好的音频放大器吗？是的，用氮化镓！
音频是一个复杂的应用，尤其是对于发烧友领域各个层面的需求。最近，基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT）技术规格已经为更好利用D类放大器性能铺平了道路。
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利用阻性负载增强LNA稳定性(上)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。
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利用阻性负载增强LNA稳定性(下)
本文提出了一个预测在放大器的输入和输出端口增加阻性负载以改善稳定性和噪声指数的新方法。该方法在宽广的频率范围内有效，能够用于低噪声放大器(LNA)和宽带放大器。
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氮化镓功率技术大热，Transphorm创新HEMT结构“剑走偏锋”高压器件
氮化镓技术因其在低功耗、小尺寸等特性设计上的独特优势和成熟规模化的生产能力，近年来在功率器件市场大受欢迎。在前不久举办的EEVIA第五届ICT技术趋势论坛上，这个主题受到国内媒体的集体“围观”。富士
