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骁龙835处理器产能加速,三星投8万亿韩元扩产10nm及7nm

时间:2017-03-15 来源: 作者: 标签:骁龙835   三星   10nm   

虽然三星去年10月份就宣布量产新一代10nm LPE工艺了,使用该工艺的处理器包括高通的骁龙835以及三星自家的Exynos 8895,但是这都快半年了,10nm工艺的产能、良率依然是个问题,以致于今年使用骁龙835处理器的旗舰机上市都会晚两三个月。这个问题也不光是三星自己遇到了,TSMC的10nm一样遇到延期问题,解决办法只有加大投资,扩充产能。三星日前宣布投资8.5万亿韩元(69.8亿美元)扩充现有10nm工艺产能,并为明年的7nm准备基础建设。

本文引用地址: http://www.21ic.com/chongdian/news/2017-03-15/709957.html

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目前三星生产移动处理器最先进的工艺是14nm FinFET,下一代则是10nm FinFET,也有LPE低功耗及LPP高性能之分,不过LPP工艺要等到今年下半年才会量产,首先量产的是10nm LPE工艺。根据三星所说,新工艺下的SoC性能可以提供27%,功耗将降低40%。

最早使用10nm工艺的处理器是高通骁龙835,这款处理器也将是2017年各大手机厂商新旗舰必备的硬件配置,但是因为10nm工艺的产能、良率问题困扰,骁龙835以及三星自家的Exynos 8895量产时间都比前代芯片晚一些,上月的MWC展会上,LG发布的G6手机就只能使用骁龙821处理器,等不及骁龙835了,索尼倒是抢先首发了骁龙835手机Xperia XZP,不过上市时间还没确定。

要想解决产能问题,三星加大投资是必须的,日前该公司宣布斥资8万亿韩元、约合69.8亿美元以扩大半导体生产线,其中2.5万亿韩元将投向位于Hwasung-si的17 Line工厂,预计今年Q2季度早些时候将额外增加1.8万片晶圆/月的10nm产能——现在10nm的产能是2.5万片晶圆/月。

余下的大把投资则会瞄准未来的7nm工艺,三星与TSMC在7nm节点上同样竞争激烈,从之前官方公布的进展来看,TSMC在7nm节点上稍微领先一些,三星现在要加快追赶进度了。由于17 Line工厂没有足够的空间扩充7nm工艺,三星今年底准备新建一座工厂,到2019年下半年时预计月产能为3万片晶圆。

7nm节点对半导体厂商来说非常重要,因为它不仅是高性能节点,还因为7nm节点是新一代半导体生产装备EUV光刻工艺正式商用的节点。根据韩媒消息,三星已经订购了8台ASML公司的EUV光刻机,每台售价高达2.5万亿韩元(约合2.18亿美元),光是为这些生产装备就花了17.4亿美元了。

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