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RAM,Random-Access Memory,即随机存取存储器,其实就是内存,断电会丢失数据。

主要分为SRAM(static)和DRAM(dynamic)。主要的区别在于存储单元,DRAM使用电容电荷进行存储。需要一直刷新充电。SRAM是用锁存器锁住信息,不需要刷新。但也需要充电保持。
关于DRAM,其基本的存储单元如下,利用一个进行控制电容的充放电。

DRAM一般的寻址模式,控制的晶体管集成在单个存储单元中。



现在的DRAM一般都是SDRAM,即Synchronous Dynamic Random Access Memory,同步且能自由指定地址进行数据读写。其结构一般由许多个bank组成并利用以达到自由寻址。





而RRAM,指的是Resistive Random Access Memory,这是最近才新研究的技术,并不成熟。利用Memositor(一种记忆电阻,其阻值会根据流过的电流而变化)作为存储单元,优点十分明显,并且和DRAM比起来在array中可以减少控制晶体管的数量,在CMOS chip上已经有所应用。
举crossbar为例,我在一篇文章上看到的芯片


其基本的寻址模式是在crossbar外进行控制,DATA A为读取的数据而DATA B是不读取的数据。对相应的地址加以两种不同的电压完成存取。

作者:Birkee
链接:https:///question/30492703/answer/90052846
来源:知乎

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