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[导读]继台积电提高2010年资本支出达48亿美元,晶圆专工大厂联电3日亦宣布,提高2010年资本支出达12亿~15亿美元,其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示,联电65纳米成长会非常迅速,45/40纳米世代

台积电提高2010年资本支出达48亿美元,晶圆专工大厂联电3日亦宣布,提高2010年资本支出达12亿~15亿美元,其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示,联电65纳米成长会非常迅速,45/40纳米世代占营收比重将增加,同时良率已很稳健。值得注意的是,台积电、联电纷上看2010年晶圆代工产业将成长3成,乐观预期公司可望同步跟著成长,并加码资本支出,透露在两大龙头厂带领下,将再度掀起12寸厂投资热潮。

孙世伟表示,对于2010年展望非常乐观,预估半导体产业可望成长13~15%,晶圆专工产业成长率可达25~28%,对于联电2010年营运将有非常乐观预期,为因应客户对于产能及高阶技术强劲需求,将提高2010年资本支出至12亿~15亿美元。半导体业者认为,联电 2010年可望跟著晶圆代工产业成长脚步,同步成长3成,与台积电预估2010年成长幅度相当。

事实上,台积电日前公布2010年资本支出达48亿美元,较2009年约暴增7成,联电3日预估2010年资本支出12亿~15亿美元,亦较业界所估10亿美元为高,半导体业者认为,台积电、联电纷积极扩产,借以抢攻市占率。联电则表示,将会在市占率与股东权益报酬率之间,取得最佳平衡。

针对2010年资本支出,孙世伟强调,主要用于建置高阶制程产能,包括南科Fab 12A厂45/40纳米制程产能,以及持续导入28纳米技术研发及试产设备,以及新加坡Fab 12i厂大幅扩充65/55纳米制程产能等。此外,联电Fab 12A厂第3期无尘室相关设施与机台装置时程,将同步加速就绪,并进行弹性扩充。

不过,业界担忧晶圆双雄纷加大投资力道,恐造成产能过剩,孙世伟对此表示,联电经过整体评估,投资12亿~15亿美元风险已相对较低,由于先进制程投资甚钜,摩尔定律可能演进趋缓,因此,针对投资力道与时机点,联电确实已相当谨慎。此外,全球经济复苏步调的持续性,以及美国、大陆相继考虑调控措施,对后续景气造成效应,仍有待观察。

此外,联电表示,2009年第4季65纳米制程比重已占整体营收约17%,2010年比重将持续成长,同时 45/40纳米世代在上半年将可见到约达个位数营收比重贡献。联电自行研发的高效能40纳米逻辑制程,目前已有超过10家客户,涵盖高阶消费性电子、通讯、手机与硬碟各应用领域,较65纳米还提前1季通过全生产验证,且良率已稳定到可晶圆计价出货。
 

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