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[导读]中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队,研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。

近日,中科院金属研究所孙东明团队联合刘畅团队,研发了一种连续合成、沉积和转移单壁碳纳米管薄膜的技术,首次在世界范围内制备出米级尺寸高质量单壁碳纳米管薄膜,并基于此构建出高性能的全碳薄膜晶体管(TFT)和集成电路(IC)器件。

本文引用地址: http://www.21ic.com/news/analog/201807/803641.htm

单壁碳纳米管因具有优异的力学、电学和光学性质,被认为是制作柔性和透明电子器件最具竞争力的候选材料之一。但能否发展一种高效、宏量制备高质量单壁碳纳米管薄膜的制备方法,一定程度上决定着该材料能否走向实际应用。研发团队有关负责人解释,首先,迄今制备的单壁碳纳米管薄膜的尺寸通常为厘米量级,批次制备方式不能满足规模化应用要求。其次,由于在碳纳米管薄膜制备工艺过程中通常会引入杂质和结构缺陷,使得薄膜的光电性能劣化,远低于理论预测值,种种因素导致单壁碳纳米管薄膜的制备一直不甚理想。

通过制备方法的创新,研发团队获得了长度超过2米的单壁碳纳米管薄膜。这是我国科学家首次开发出米级长度的单壁碳纳米管薄膜的连续生长、沉积和转移技术,为未来开发基于单壁碳纳米管薄膜的大面积、柔性和透明电子器件奠定了材料基础。

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