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[导读]中国科学院大学与中芯合作,成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷,帮助缩短显影研发周期,节省研发成本,为确定不同条件下最优工艺参数提供建议。

 近日,中国科学院大学微电子学院与中芯国际集成电路制造有限公司在产学研合作中取得新进展,成功在光刻工艺模块中建立了极坐标系下规避显影缺陷的物理模型。通过该模型可有效减小浸没式光刻中的显影缺陷,帮助缩短显影研发周期,节省研发成本,为确定不同条件下最优工艺参数提供建议。该成果已在国际光刻领域期刊Journal of Micro-Nanolithography MEMS and MOEMS发表。

本文引用地址: http://www.21ic.com/news/eda/201806/774965.htm

超大规模集成电路先进光刻工艺中,图案尺寸越来越小、密度越来越高,显影后的残留缺陷对图案化的衬底表面越来越粘,如何有效去除显影缺陷一直是业界探讨的热点问题之一,国际上对此也尚未存在完备的解决方案。利用校企合作的平台,国科大微电子学院马玲同学通过向校内、企业导师的不断请教和讨论,结合同中芯国际光刻研发团队的密切协作,成功建立一种基于粘滞流体力学的显影缺陷物理模型,可以探究单硅片上显影过程中出现的各种物理极限以及针对不同规格缺陷的去除解决方案,为解决这一难题开辟了全新的道路。同时,这一模型的提出还有助于完善国产装备中匀胶显影机的相关算法。

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