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[导读]泰克公司日前宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米(nm)硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)

泰克公司日前宣布,其下一代、可扩展、高性能示波器平台将广泛采用IBM 8HP硅锗 (SiGe) 技术,再次证明其致力于帮助全球工程师加速未来设计方案的调试与测试工作。130纳米(nm)硅锗双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS) foundry工艺提供了两倍于前代工艺技术的性能,能帮助推出实时带宽超过30 GHz的示波器产品。

“泰克公司与IBM拥有长期的合作创新历史,在我们的产品中采用SiGe技术使我们推出了一系列世界级的获奖仪器,并帮助解决了一些最迫切的客户挑战”,泰克公司高性能示波器总经理Brian Reich指出,“出色的SiGe技术性能,加上IBM稳健可靠的SiGe制造实力,这将使我们的下一代示波器采集性能超过30 GHz,从而满足计算/通信产业不断发展的客户需求。”

1998年,IBM 成为首个面向主流制造领域推出硅锗IC技术的公司。2000年,泰克公司宣布推出TDS7000系列实时示波器,这也是当时速度最快的商用示波器,采用的正是IBM的旗舰SiGe 5HP技术。目前,泰克公司继续采用IBM业界领先的IC技术,也就是其第四代SiGe 8HP技术。

SiGe半导体采用50年历史芯片产业中可靠性较高的成熟制造工艺,其性能水平可与磷化铟(InP) 和砷化镓 (GaAs) 等稀有材料技术相媲美。与其他技术不同的是,SiGe BiCMOS能在与标准CMOS相同的裸片上集成高速双极晶体管,从而打造出具有超高性能与高集成度的电路系统。正是这种组合优势使得泰克公司10年来不断推出特性丰富的高速数据采集系统。

“近15年来,泰克公司同我们的工程师团队密切合作,全面发挥SiGe技术的潜力”,IBM创新副总裁Bernie Meyerson指出,“SiGe技术能继续提供新一代高性能测试仪器所需的性能。鉴于SiGe技术的优势,该技术显然仍是各种高速测试应用的首选半导体技术。”

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