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[导读]英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台,展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外,英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文,并在同期的国际研讨会上进行交流。

21IC讯 英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台,展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外,英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文,并在同期的国际研讨会上进行交流。

本文引用地址: http://www.21ic.com/np/analog/201806/787700.htm

从前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到数字化功率创新,以及最新的碳化硅和氮化镓技术,英飞凌芯片对于提高发电、输电和用电效率起着至关重要的作用。此次,英飞凌将围绕“赋能世界,无尽能源”(Empowering A World Of Unlimited Energy)为主题,重点展示以下产品:

·1200V TRENCHSTOP™ IGBT7

1200V TRENCHSTOP™ IGBT7基于最新微沟槽技术,可大幅降低损耗,并提供高度可控性。该芯片专门针对工业驱动器应用进行优化,可大幅降低静态损耗,提高功率密度,与EmCon7 1200V 二极管技术构成IGBT开关,开关更为柔和。另外,通过将功率模块中允许过载的最高工作温度提高至 175℃,可显著提高功率密度。

·CoolSiC™ MOSFET —— 一场值得信赖的技术革命

CoolSiC™ MOSFET 1200V 是将系统设计带到全新效率和功率密度水平的前沿解决方案。采用沟槽栅技术的碳化硅MOSFET技术,英飞凌分别在 62mm 和EASY2B封装中实现了 3 毫欧姆和6毫欧姆的半桥模块,代表业内的领先水平。通过结合最佳可靠性、安全性和易用性,CoolSiC™ MOSFET 是光伏逆变器、UPS 、电动汽车充电和工业驱动应用的最佳解决方案。

面向中国的光伏客户和应用,英飞凌开发了定制化产品,如三电平模块提高了组串型逆变器的单机的功率极限,碳化硅 MOSFET 在模块中的应用,大大提高了效率和功率密度。

·MIPAQ™ -Pro —— 一个真正意义上的智能IGBT模块

MIPAQ™ Pro 是一款集成 IGBT、驱动、散热器、传感器、数字控制以及通讯总线的大功率智能功率模块(IPM)。通过对诸如芯片工作结温、输出电流、直流电压等关键参数的实时监控,进行故障预警和保护,从而实现了强大的智能保护功能。在减少设计冗余,实现功率输出最大化的同时,确保 IPM 可以在设定的极限范围内安全稳定工作,在设备出现故障隐患时,及时发现并有效预防,大大提高了设备的现场有效运行时间。

·TRENCHSTOP™ Feature IGBT —— 带多重保护和集成多种应用电路功能的IGBT

为了提高 IGBT 使用的可靠性,越来越来的用户更倾向于 IGBT 本身自带多重保护或者集成多种应用电路功能,如过压保护、过流保护、过温保护、有源钳位、故障报警等。因此,英飞凌即将推出全新的多功能 IGBT——TRENCHSTOP™ Feature IGBT。该系列 IGBT 包含多种组合,即根据不同应用的设计需求,集成不同保护或者其它功能,为用户提供一种设计简单但安全可靠的方案。

·Infineon® Eco Block压接式模块

英飞凌在2017年完善了全系列高性价比焊接式20mm、34mm和50mm双极器件模块后,2018年即将推出高性价比压接式Eco Block系列,用于扩展现有的经典PowerBLOCK压接技术产品线。该模块的典型应用包括不间断电源和变频器市场,包括60mm晶闸管/晶闸管TT、晶闸管/二极管TD和 二极管/二极管DD模块,以及70mm晶闸管模块。其阻断电压为1600/2200V,电流范围是420A到 1200A。新系列产品保留了PowerBLOCK模块的重要特性功能,拥有压接技术特有的短路导通特性、并同时拥有高性价比。系出名门,秉承了英飞凌一贯的“可持续、环境友好”设计。

·IGBT 系统解决方案和应用解决方案

IGBT 应用解决方案包括 IGBT 和碳化硅器件驱动方案和各种设计评估板。IGBT 系统解决方案包括逆变焊机、电动汽车充电、兆瓦级 1500V 光伏逆变器和主要应用于电力机车和高速列车的牵引和辅助变流器,柔性高压直流输电等XHP™3 并联方案。

·最新一代1200V IGBT6 单管IGBT

1200V IGBT6单管比上一代1200V单管IGBT,进一步降低了导通压降和开关损耗,首批推出5个型号有两种芯片技术 S6和H6,两种封装形式,TO247_Plus和TO247_Plus 4Pin。可以说这一代IGBT6的推出,不仅是在上一代1200V单管IGBT的基础上芯片技术的升级,还扩展了电流输出能力,对于系统设计,可以减少并联个数,大大提升系统可靠性。可以广泛应用于光伏,UPS,焊机,变频器等领域。

·TRENCHSTOPTM5芯片在D2PAK封装中的产品

TRENCHSTOPTM5是英飞凌最新一代650V IGBT芯片系列,在市场上广受欢迎,以前单管只有TO-247封装,英飞凌于近日推出了TRENCHSTOP5芯片封装在D2PAK的贴片型封装中的系列产品。相比于TO-247封装,D2PAK封装由于管脚短,杂散电感小了很多,可以以更低开关损耗工作于更高的开关频率。同时,D2PAK封装的结对壳的热阻并没有升高,又可以直接在IMS上进行贴片焊接,整个散热效果要比传统的TO-247封装散热效果要更好。这样一来同样大小的芯片,D2PAK封装能比TO-247封装输出更大的电流,对提升系统效率和功率密度,有很大的帮助。

·DDPAK,创新正面散热SMD封装满足大功率SMPS市场需求

得益于集成式4引脚开尔文源配置,可降低寄生源电感,减轻振荡倾向。采用正面散热SMD封装的CoolMOS™和CoolSiC™可在电路板与MOSFET之间实现更大温差及延长系统使用寿命。

PCIM Asia 是 PCIM Europe 在亚洲地区的姐妹展,迄今已成功举办过 16 届,专注于电力电子技术,以及该领域技术在国家电网、工业、轨道交通、智能运动及电动车等方面的应用。

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