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讨论宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇
GaN Systems 销售和营销副总裁 Larry Spaziani 在接受 记者采访时 谈到了宽带隙半导体背后的技术、市场前景和机遇。
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使用宽带隙半导体为电动汽车供电，第二部分
所以电动汽车需要更多的电力，因此功率水平最高可达传统汽车的 20 倍。所以内燃机、ICE……我的意思是，对于工程师来说，对于试图优化电力网络的电力工程师来说，这种增长是一个重大挑战。还有基础设施、充电站、电网。如您所知，汽车现在更加电动化，我们可以这么说。所以我们不需要机械工程师，我的意思是。而在这种情况下，问题也是：我们如何改造旧的机械工程师?换句话说，如何从与内燃机汽车相关的职业转向电动汽车。我们确实需要在这些新兴领域(电动汽车)具有特定资格的新专业人员。
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使用宽带隙半导体为电动汽车供电，第三部分
对于 FTEX，目前的挑战是开始制造。所以我们已经开始预制造了。你知道，在路上建立一个原型需要 20% 的努力，而 80% 的工作真的就像是让这个原型对每个人都具有良好的功能，并具有良好的故障率和良好的良率。当然，供应链现在是一个我们必须解决的大问题。
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使用宽带隙半导体为电动汽车供电，第一部分
车辆电气化是减少道路交通温室气体排放计划的关键部分。与传统的硅替代品相比，宽带隙半导体具有多种优势，因此可以改进电动汽车和混合动力汽车。在这个与 FTEX 的联合创始人兼首席技术官 Alexandre Cosneau 的讨论中，我们将发现电动汽车的动力总成技术和 GaN 的优势。Cosneau 正在寻找优化电源转换的方法，从电池设计到电机效率，这对 FTEX 技术和解决方案至关重要。
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宽带隙半导体
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
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