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一款实用的电源防反接电路
如果将电源的极性接反，可能会损坏电源或者烧掉电路板。下图是一个实用的防反接电路。 当电源正向接入，且输入电压范围为+9V～+28V时，MOS管的栅极电压，为2/3Vin即6V～18
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一款实用的电源防反接电路
如果将电源的极性接反，可能会损坏电源或者烧掉电路板。下图是一个实用的防反接电路。 当电源正向接入，且输入电压范围为+9V～+28V时，MOS管的栅极电压，为2/3Vin即6V～18
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到底什么是fmax讲解
简介： 今天一个刚刚入行的朋友找到我说，他的老板给了他一个MOS管让他测管子的fmax,帮他测完之后，他还问到怎么才能加大这个fmax~~想到自己也曾千辛万苦的琢磨这个参数，就
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N沟道增强型MOS管双向低频开关电路
【电路】 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用 (原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg) 如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。 双向传输原理：
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LED灯这五大技术难点不攻破，MOS管就烧不停
1、芯片发热 本次内容主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0.6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯
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两轮自平衡电动车
摘要：分析了测量角度和角速度传感器的选择，通过Atmega16单片机多路信号AD采集陀螺仪和加速度计的信号，经过Kalman滤波算法计算动态的角度和角速度，通过LCD1602显示角速度和角度的值、转向值。利用PID控制算法控制
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场效应晶体管的几点使用知识！
我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的
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详细讲解MOS管驱动电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允
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三极管基极下拉电阻的作用
1)防止三极管受噪声信号的影响而产生误动作，使晶体管截止更可靠!三极管的基极不能出现悬空，当输入信号不确定时(如输入信号为高阻态时)，加下拉电阻，就能使有效接地。特别是GPIO连接此基极的时候，一般在GPIO所在I
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国内分立器件制造商积极拓路
【导读】在“中国制造”的道路上国产分立器件已经不可或缺的融入供应链。现阶段，以客户需求为出发点，调整并深化产品线，走专业化道路，合理的性价比成为国内分立器件制造的主要目标以及竞争优势的体现。也只有这样
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MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图
现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。1、MOS管 MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地，称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压
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三极管比MOS管开关功能略胜一筹？
我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别 工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，mos管贵。3、功耗问题：三极管损耗大
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开关式稳压电源电路之三
开关式稳压电源电路之三
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栅极电阻与泄放电阻
栅极与源极之间加一个电阻，这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用：保护栅极G-源极S;第一个作用好理解，这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S：场效应管的
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4G带旺无线充电产业 Qi标准将普及
【导读】无线充电从诞生之日就饱受争议，而实现之路也是困难重重，我们寻找了两家涉足无线充电领域的公司，试图从他们的现状来一窥无线充电产业的最新动态。 成功的设计：不仅是性能，还需兼具工艺与良率 故事一
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MOS管击穿原因和防护措施！
MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或
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VMOS管开关稳压电源电路图
如图是另外一个VMOS管开关稳压电源电路。由于采用了电压比较器710，因此该电路比前者有所简化。图中，电阻R1、R2、R3和稳压管VDl、 VD2 组成分压稳压电路，从28V输入电压中
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MOS管驱动电路总结
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但
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技术：CMOS集成电路电阻的应用分析
目前，在设计中使用的主要有3种电阻器：多晶硅、MOS管以及电容电阻。在设计中，要根据需要灵活运用这3种电阻，使芯片的设计达到最优。1CMOS集成电路的性能及特点1.1功耗低CMOS集成电路采用场效应管，且都是互补结构，
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N沟道增强型MOS管双向低频开关电路
MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用(原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg)如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。双向传输原理：为了方便讲述，定义 3.3V 为
