当前位置:首页 > 模拟 > 模拟
[导读]栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S:场效应管的

栅极与源极之间加一个电阻,这个电阻起到什么作用?

一是为场效应管提供偏置电压;二是起到泻放电阻的作用:保护栅极G-源极S;

第一个作用好理解,这里解释一下第二个作用的原理——保护栅极G-源极S:场效应管的G-S极间的电阻值是很大的,这样只要有少量的静电就能使他的G-S极间的等效电容两端产生很高的电压,如果不及时把这些少量的静电泻放掉,他两端的高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加的电阻就能把上述的静电泻放掉,从而起到了保护场效应管的作用。

看一个具体的例子:MOS管在开关状态工作时,Q1、Q2是轮流导通,MOS管栅极在反复充、放电状态,如果在此时关闭电源,MOS管的栅极就有两种状态:一种是放电状态,栅极等效电容没有电荷存储;另一个是充电状态,栅极等效电容正好处于电荷充满状态,如下图a所示。虽然电源切断,此时Q1、Q2也都处于断开状态,电荷没有释放的回路,但MOS管栅极的电场仍然存在(能保持很长时间),建立导电沟道的条件并没有消失。这样在再次开机瞬间,由于激励信号还没有建立,而开机瞬间MOS管的漏极电源(V1)随机提供,在导电沟道的作用下,MOS管立刻产生不受控的巨大漏极电流Id,引起MOS管烧坏。为了避免此现象产生,在MOS管的栅极对源极并接一只泄放电阻R1,如下图b所示,关机后栅极存储的电荷通过R1迅速释放,此电阻的阻值不可太大,以保证电荷的迅速释放,一般在五千欧至数十千欧左右。

灌流电路主要是针对MOS管在作为开关营运用时其容性的输入特性,引起“开”、“关”动作滞后而设置的电路,当MOS管作为其他用途,例如线性放大等应用时,就没有必要设置灌流电路。

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

在电子电路设计中,确保电源的稳定和安全至关重要。LTC4365 作为一款出色的过压(OV)、欠压(UV)以及反向极性故障保护控制器,在众多领域得到了广泛应用。其能够为电源输入电压可能出现过高、过低甚至负值的应用场景提供可...

关键字: 控制器 栅极 输出电压

MOS管,其英文全称是MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor),即金属氧化物半导体型场效应管。这种管子属于场效应管的一个分类,即绝缘栅型,因此,它...

关键字: MOS管 场效应管

在开关电源等高频应用场景中,MOS管在导通和关断的瞬间,会经历短暂的电压电流交叠过程。这个过程中产生的损耗被称为开关损耗。

关键字: MOS管

在开关电源中,如果MOS管的关断和导通速度不够快,也会产生附加的功率损耗‌。

关键字: MOS管

在电机驱动领域,场效应管(MOSFET)作为核心功率器件,其性能直接决定了电机系统的效率、可靠性与控制精度。随着工业自动化、新能源汽车、消费电子等领域对电机性能要求的不断提升,MOSFET 需满足更为严苛的条件。本文将从...

关键字: 电机驱动 场效应管 控制

在现代电子技术领域,MOS 场效应管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)凭借其独特优势,如高输入阻抗、低噪声、易于集成等,被广泛应用于各类电子产品中,从日...

关键字: 场效应管 静电击穿 工业控制

‌米勒效应‌是指MOS管在开关过程中,栅极和漏极之间的反向传输电容(Cgd)在开关作用下引起的瞬态变化现象。这种现象会导致驱动电压和漏源电流在一段时间内维持不变,形成一个“米勒平台”,从而增加开关损耗,降低效率。

关键字: MOS管 电容

一直以来,场效应管都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在,小编将为大家带来场效应管的相关介绍,详细内容请看下文。

关键字: 场效应管 可控硅 三极管

在这篇文章中,小编将对场效应管的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度,和小编一起来阅读以下内容吧。

关键字: 场效应管 驱动芯片
关闭