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MOSFET

金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
  • LED灯具驱动电源技术

    繁华的城市离不开LED灯的装饰,相信大家都见过LED,它的身影已经出现在了我们的生活的各个地方,也照亮着我们的生活。要普及LED灯具,不但需要大幅度降低成本,更需要解决技术性的问题。

    类别: [电源] 2019-10-12关键词:LED灯具   双极型功率器件   MOSFET   

  • LED驱动设计注意事项

    随着科学技术的发展,LED技术也在不断发展,为我们的生活带来各种便利,为我们提供各种各样生活信息,造福着我们人类。对于新手来讲LED驱动设计其实并不是一件容易的事儿,针对这方面问题小编特别总结了设计达人的一些在工作中需要注意的问题和亲身的设计心得进行分享。

    类别: [电源] 2019-10-07关键词:LED驱动器   双极型功率器件   MOSFET   

  • 新的功率MOSFET-SQJQ402E

    在科学技术飞速发展的今天,离不开我们科研人员的辛勤付出,制造出如此多的电子产品,然而大家只关注这些产品的使用,只有研究人员会关注内部结构,这其中就要数功率器件了。日前,Vishay Intertechnology,Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,发布新的8mm x 8mm x 1.8mm Power PAK8x8L封装40VTrenchFET 功率MOSFET-SQJQ402E,目的是为汽车应用提供可替代常用D2PAK和DPAK封装,实现大电流,并能节省空间和功耗的方案。

    类别: [电源] 2019-08-27关键词:功率   MOSFET   SQJQ402E   

  • 耗尽型模拟开关:无电源也能高性能连接

    耗尽型MOSFET开关,一度不那么受欢迎,且常被视为典型的增强型FET的同属,却在最近几年中越来越受欢迎。安森美半导体投入该技术,开发出越来越多的耗尽型模拟开关系列。这些开关越来越多地用于很好地解决工程问题。此博客将使读者更好地了解这些实用的器件的能力,并介绍方案示例。

    类别: [电源] 2019-07-10关键词:模拟开关   MOSFET   增强型FET   

  • 安森美半导体和格芯合作转让纽约东菲什基尔300mm晶圆厂的所有权

    安森美半导体公司(ON Semiconductor,美国纳斯达克上市代号:ON和格芯(GLOBALFOUNDRIES)宣布就安森美半导体收购GLOBALFOUNDRIES位于纽约东菲什基尔(East Fishkill, New York)的300 mm晶圆厂达成最终协议。此次收购总代价为4.3亿美元,其中1亿美元已在签署最终协议时支付,其余3.3亿美元将在2022年年底支付,之后,安森美半导体将获得该晶圆厂的全面运营控制权,该厂的员工将转为安森美半导体的员工。此交易的完成取决于监管机构的批准及其它惯例成交

    类别: [电源] 2019-06-11关键词:300mm晶圆厂   MOSFET   IGBT   

  • 半导体成就电动汽车“芯”

    上海华虹宏力半导体制造有限公司于2018年度中美贸易关系混乱的市场环境中仍获取了优异成绩,达到行业领先地位,其产能利用率更是高达99.2%。

    类别: [半导体] 2019-05-31关键词:功率半导体   华虹宏力   MOSFET   

  • 让变频空调更节能,ROHM推出600V 超级结MOSFET “PrestoMOS”系列产品

    全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于空调、冰箱等白色家电的电机驱动以及EV充电桩。近日,该系列产品群又新增了“R60xxJNx系列”共30种机型。

    类别: [模拟技术] 2019-03-19关键词:变频空调   ROHM   MOSFET   

  • 继续快速成长,2019年中国功率半导体市场规模逾人民币2,900亿元

    TrendForce预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

    类别: [半导体] 2019-03-11关键词:功率半导体   MOSFET   IGBT   

  • 基于CPLD技术的MOSFET器件保护电路的设计方案

      1.概述  功率MOSFET最初是从MOS集成电路发展起来的,它通过增加源漏横向距离提高器件耐压,从而实现集成电路中高压驱动。功率MOSFET已大量应用于电力电子,消费电子、

    类别: [电源] 2019-02-22关键词:保护电路   CPLD   MOSFET   

  • 如何优化PCB设计以最大限度提高超级结MOSFET的性能

      基于最近的趋势,提高效率成为关键目标,为了获得更好的EMI而采用慢开关器件的权衡并不值得。超级结可在平面MOSFET难以胜任的应用中提高效率。与传统平面MOSFET技术相比

    类别: [电源] 2019-02-22关键词:EMI   MOSFET   PCB   

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