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  • 快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

    快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 6 日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7001,该器件以高达 150V 电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,使其能够保持无限期接通。LTC7001 强大的 1Ω 栅极驱动器可凭借非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,非常方便地驱动栅极电容很大的 MOSFET,因此很适合高频开关和静态开关应用。 LTC7001 用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极电压可能在 0V 至 135V (绝对最大值为 150V) 之间的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7001 在 3.5V 至 15V 的驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。 LTC7001 采用 MSOP-10 封装,其引线配置为提供高压间隔。该器件有 3 种工作结温级版本,扩展和工业级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C,高温汽车级版本则为 –40°C 至 150°C,军用级版本为 –55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.40 美元。如需更多信息,请登录 。 照片说明:快速 150V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

    时间:2020-08-10 关键词: 驱动器 MOSFET ltc7001

  • 快速 60V 保护的高压侧 N 沟道  MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力

    快速 60V 保护的高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器提供 100% 占空比能力

    加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年 7 月 13 日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7003,该器件可采用高达 60V 的电源电压工作。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使其能够无限期地保持导通。LTC7003 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟非常容易地驱动大的栅极电容 MOSFET,因此非常适合高频开关和静态开关应用。 LTC7003 在 3.5V 至 60V (65V 绝对最大值) 输入电源范围内运行,具 3.5V 至 15V 驱动器电源范围。该器件通过监视外部检测电阻器两端的电压来检测过流情况,这个电阻器与外部 MOSFET 开关的漏极串联。当 LTC7003 检测到开关电流已经超过预设值时,就确定一个故障标记,开关则关断一段时间,关断时间长短由一个外部定时电容器设定。经过预定冷却时间之后,LTC7003 自动重试。 LTC7003 用来接收一个以地为基准的低压数字输入信号,并快速地驱动一个高压侧 N 沟道功率 MOSFET,该 MOSFET 的漏极可比地高 60V。当驱动一个 1000pF 负载时,快速 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。LTC7003 具可调电流限制、电流监视输出以及可调过压闭锁和使能输入。 LTC7003 采用 MSOP-16 封装。可提供 3 种工作结温级版本,扩展和工业温度级版本的温度范围为 –40°C 至 125°C,高温汽车级版本的温度范围为 –40°C 至 150°C,而军用温度级版本的温度范围则为 –55°C 至 150°C。千片批购价为每片 2.30 美元。如需更多信息,请登录 。 照片说明:

    时间:2020-08-09 关键词: 驱动器 MOSFET ltc7003

  • 自我保护型 MOSFET 可在汽车应用的严苛环境中提供更高的可靠性

    自我保护型 MOSFET 可在汽车应用的严苛环境中提供更高的可靠性

    Ian Moulding - Diodes 公司汽车营销经理 以前曾多次提及,汽车电子环境非常严苛!如图 1 所示,由于负载瞬态和感应场衰变,汽车的额定电池电压可在 -12V DC (在反向电池状态) 下变化为 125V DC。加上作业温度、各种互连及开放环境等多种变化,容易受到来自与人类互动而可能产生的 ESD 损害,而且您的作业环境面对的挑战性远比消费性市场来得更高。 图 1.汽车电池电压产生变化的原因 汽车业需要具有成本效益与完全可靠的解决方案,但这种潜在的破坏性环境,对现代汽车常见的大量控制功能所需的功率半导体装置带来巨大的挑战。 标准 MOSFET 等功率半导体已被证实其坚固程度不符合许多汽车应用所需。感应突波与负载突降需要更大 MOSFET 或外部箝位来吸收能量的瞬态,否则将会破坏 MOSFET。这两种选项都会增加成本与独立设计的复杂性。 自我保护型 MOSFET 由 Diodes 公司及其他业者研发,可透过结合箝位与其他保护功能的单片电路拓扑解决此问题,为驱动继电器、LED 及其它电感负载提供更可靠且更低成本、更小尺寸的解决方案。 继电器驱动 Diodes 公司的 DMN61D8LQ 是采用 SOT23 封装的箝位拓扑自我保护型 MOSFET,并已进行优化以符合驱动汽车继电器的成本与效能需求。它在输入部分具备 ESD 保护功能,并且在输出部分具备主动汲极箝位功能。后者由于其电感特性,在切换继电器时特别有用,因为在停用继电器时会产生较大的瞬态,而这些瞬态有可能破坏未受保护的 MOSFET。 图 2 所示的背对背齐纳堆栈位于 MOSFET 的闸极与汲极联机之间,是此低侧、主动箝位组态的主要组件。箝位电压由齐纳堆栈电压设定,其设计为小于 MOSFET 汲极至源极接面的突崩崩溃电压,同时也够高而不会在正常运作中被触发。 图 2.低侧主动过电压箝位的等效电路 这意味着当 MOSFET 关闭时,即装置的输入已接地,汲极脚位的电压将上升至高于齐纳堆栈电压,电流将经由齐纳与输入电阻器而流至接地。然后,随着 MOSFET 闸极产生的最终电压接近阈值,MOSFET 将开始导通并耗用负载电流。 如此可确保由停用继电器产生的电感能量,可由在正常作用区中运作的功率 MOSFET 吸收,而非以反向突崩模式在本机耗散更多能量。同时,由于箝位电压低于突崩电压,MOSFET 在箝位模式下消耗的功率小于突崩模式,因此可提供更高的能量处理能力。 灯具驱动 为了进一步因应瞬态,自我保护型 MOSFET (例如 Diodes 公司的 ZXMS6004FFQ) 采用完整保护的拓扑,包括过热保护及过电流保护电路。如图 3 的方块图所示,其中已加入过电压与 ESD 输入保护。此装置采用小尺寸 SOT23 封装,比同类 SOT223 封装的零件小 6 倍。 图 3.Diodes ZXMS6004FFQ MOSFET 的自我保护功能 这款自我保护型 MOSFET 利用温度传感器与热关机电路提供保护,以避免过热。此电路在 MOSFET 开启时为主动,并且会在超过临界温度 (通常为 175°C) 时触发。此时会关闭 MOSFET,中断电流以限制进一步散热。内建迟滞可让输出在装置冷却约 10°C 后自动恢复。 白炽灯关闭时电阻较低,当开灯后电阻会快速增加,温度也会上升。透过限流电路提供的过电流保护不仅可提供保护以避免故障,并可避免与灯具低导通电阻相关的高涌浪电流。限流电路可侦测因过载电流而产生的 MOSFET 汲源电压 (VDS) 大幅增加,并藉由降低内部闸极驱动及限制汲极电流 (ID) 进行因应。此功能可保护 MOSFET 并延长灯具寿命,其特性如图 4 所示。 图 4.典型的输出特性显示限流功能 虽然上述保护电路皆独立实作,但它们亦可结合并正常运作。例如,过电流调节可以运作一段时间,但可能无法阻止温度最终达到进入过热循环的阈值。 透过其内建保护功能,自我保护型 MOSFET 可为各种汽车应用的开关负载提供具有成本效益的解决方案。其内部特性可提高系统可靠性,相较于竞争业者的装置,Diodes 公司 SOT23 封装装置的小巧体积可节省极大的空间与成本。

    时间:2020-08-08 关键词: MOSFET diodes sot23

  • Allegro MicroSystems, LLC推出全新汽车级半桥MOSFET驱动器IC

    Allegro MicroSystems, LLC推出全新汽车级半桥MOSFET驱动器IC

    支持ASIL-B的新产品设计用于具有高功率电感性负载的汽车应用 美国马萨诸塞州伍斯特市 – Allegro MicroSystems,LLC宣布推出两款全新N沟道功率MOSFET驱动器IC,能够控制以半桥配置连接的MOSFET。Allegro的A4926和A4927专为具有高功率电感性负载的汽车应用而设计,可适用于直流泵(制动、油、水和燃料)、空调系统(HVAC)、螺线管和致动器等设计。这些器件特别适合于必须满足ASIL要求的汽车系统,与Allegro A2SIL™系列中其他产品一样,A4926和A4927都集成有足够多的功能来完善系统设计,帮助用户实现所需的ASIL等级要求。 A4926和A4927集成有独特的电荷泵稳压器,能够针对大多数应用提供完整的门驱动,即便是在电池电压低至5.5V时。它们带有可选自举管理的自举电容器,可用于提供N沟道MOSFET所需的高于电池的电源电压。半桥可以由独立的逻辑电平输入或兼容SPI的串行接口来进行控制。外部功率MOSFET通过可编程的死区来保护,以避免发生击穿(shoot-through)。 A4926和A4927具有的集成式诊断功能可以提供多种内部故障、系统故障和电源桥故障的指示,并可配置为在大多数数短路条件下保护功率MOSFET。串行接口除了能够提供对桥控制的完全访问之外,还可用于改变死区时间、VDS阈值、门驱动电流和故障空白时间(fault blank TIme)等可编程设置,通过串行接口可以读取详细的诊断信息。此外,A4927还包括有具备可编程增益和偏移能力的集成式低边电流放大器。 A4926为20引脚eTSSOP无铅封装(后缀LP),引脚框采用100%雾锡电镀(后缀T)。 A4927为24引脚eTSSOP无铅封装(后缀LP),引脚框采用100%雾锡电镀(后缀T)。 欲了解A4926和A4927的价格及其他信息,请联系Allegro上海分公司。 关于Allegro MicroSystems, LLC Allegro MicroSystems, LLC是开发、制造和销售高性能半导体的领先厂商。Allegro独具创新的解决方案服务于汽车市场中的许多高增长应用,以及办公自动化、工业和消费/通讯等领域。Allegro公司总部位于美国马萨诸塞州伍斯特市,在世界各地拥有设计、应用和销售支持中心。有关Allegro公司的更多信息,请访问 http://www.allegromicro.com/zh-CN。

    时间:2020-08-07 关键词: MOSFET allegro a4926

  • 输出电流提高11 %的30 V MOSFET半桥功率级模块,你了解吗?

    输出电流提高11 %的30 V MOSFET半桥功率级模块,你了解吗?

    什么是输出电流提高11 %的30 V MOSFET半桥功率级模块?它有什么特点?日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。 日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下,最大导通电阻分别为4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下,导通电阻分别为1.84 mW和2.57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。 SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间,是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点(POL)转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。 双MOSFET采用独特的引脚配置结构,电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %,此外,输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热,优化电路,简化PCB布局。 SiZF300DT 经过100 % Rg和UIS测试,符合RoHS要求标准,无卤素。新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。以上就是输出电流提高11 %的30 V MOSFET半桥功率级模块解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-08-05 关键词: MOSFET 半桥功率级模块 sizf300dt

  • 英飞凌、恩智浦2018重点续攻汽车电子,功率模拟IC、MOSFET需求大增

    英飞凌、恩智浦2018重点续攻汽车电子,功率模拟IC、MOSFET需求大增

    全球IDM(整合元件制造)业者持续抢攻车用电子新蓝海,英飞凌(Infineon)、恩智浦(NXP)等重点业务皆聚焦汽车相关产品,对于功率半导体、功率模组、模拟IC、中高阶MOSFET(金氧半场效电晶体)需求大增,对于台系后段封测业者包括日月光、逸昌、菱生、捷敏等业者来说,可望同步受惠于这波汽车电子市场长线趋势。 熟悉功率元件封测业者表示,目前能够承接中高阶MOSFET封测订单的业者,主要为日月光与捷敏,日月光规模庞大,负责MOSFET相关工厂营收规模约新台币20亿~30亿元,而捷敏也积极朝向年营收规模30亿元关卡前进,从需求面来看,2018年产业供需状况,估计仍是站在供应方市场端。 熟悉半导体封测业者表示,今年到明年以降,MOSFET、模拟IC需求仍火热,估计2018年供需状况变化不会太大,主因系车用电子成为日系、欧系IDM大厂重点领域,也是IDM业者看好的长期成长动能,技术门槛与难度都相对较高,能够掌握国际IDM客户如英飞凌、三菱、瑞萨电子、安森美等的台系封测业者,可望持续受惠于功率元件市场爆发。 熟悉功率元件业者表示,如承接英飞凌模拟IC封测大单的逸昌、兼有台MOSFET芯片厂大中、富鼎、尼克森与国际IDM委外封测大单稳健的捷敏,2018年都可望有不错展望。 熟悉捷敏业者表示,目前看来2018年第1季的2月会有因传统年节的工作天数减少影响,淡季效应将如预期显现,但估计今年11月、12月营运都有高档表现,捷敏可望达到每年都有高个位数业绩成长的稳健目标。据了解,捷敏功率模组封测营收比重约10%左右,车用相关目前3%左右,虽然比重不高,但成为长线看好的成长动能。 熟悉模拟IC设计业者表示,事实上,国际IDM大厂英飞凌、NXP等持续强化车用半导体战力,英飞凌在2016年车用半导体市占率来到约近11%,被高通(Qualcomm) 收购的NXP,市占率约14%,为车用半导体市场双雄,市场人士看好未来近期的先进驾驶辅助系统(ADAS)、电动车,未来LV4~5的自驾车,都是功率半导体重点应用领域。 随着各类电源话题火热,模拟IC、MOSFET、功率元件封测、功率模组、功率模组导线架等功率半导体相关业者都可望受惠于汽车电子市场的蓬勃发展,台系功率元件供应体系2018年营运仍可正面看待。 发现智能新经济 第四届中国物联网大会智能汽车论坛 时间:2017年12月7日08:30-12:00 地点:深圳南山科兴科技园国家会议中心 会议亮点 ● 200位业内人士与会,共同探讨业界热点与设计难点; ● 国内外车企无人驾驶开发进展及技术战略 ●业内专家以独特视角,展望智能汽车未来发展演进趋势及新型应用领域; ● 毫米波雷达、激光雷达在无人驾驶领域的最新发展动态 ● 行业技术专家讲述从芯出发的智能汽车解决方案; ● 无人驾驶技术的商业化探索及案例; ● 汇聚各方资源,助谋市场新机会,有效帮助拓展销售渠道 ● 与业内大咖面对面 ,遇见你的“中国合伙人"

    时间:2020-08-05 关键词: 英飞凌 恩智浦 MOSFET 模拟ic

  • SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估

    SiC MOSFET应用技术在雪崩条件下的鲁棒性评估

    摘要 本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估SiC MOSFET的鲁棒性。MOSFET功率变换器,特别是电动汽车驱动电机功率变换器,需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误,就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。因此,本文通过模拟雪崩事件,进行非钳位感性负载开关测试,并使用不同的SiC MOSFET器件,按照不同的测试条件,评估技术的失效能量和鲁棒性。 引语 能效和可靠性是所有电子功率变换器必备的主要特性。在与人类社会活动和生态环境保护相关的应用领域,例如,交通、工业、能源转换等,标准硅基功率开关管已被SiC MOSFET取代,因为 SiC MOSFET在电流密度/芯片面积、击穿电压、开关频率、工作温度方面表现更出色,可缩减功率变换器的体积和尺寸,同时提高能效。 采用最新一代SiC MOSFET设计功率变换器应该认真考虑器件的可靠性和鲁棒性,避免让异常失效现象破坏系统的整体安全性。短路和雪崩是可能导致电源转换器开关管严重失效的异常事件。 短路事件可能是错误和失控的工作条件引起的,例如,器件开关顺序命令出错。当漏源电压VDS超过击穿电压额定值时,会发生雪崩事件。 对于dvDS/dt 和 diD/dt变化率很高的应用,在开关瞬变期间,VDS可能会超过击穿电压额定值。高瞬变率结合变换器布局固有的寄生电感,将会产生电压尖峰,在极端情况下,导致雪崩事件发生。SiC MOSFET可能会出现这些工作条件,分立器件的dvDS/dt可能轻松超过100V/ns,diD/dt超过10A/ns 。 另一方面,电机功率变换器也是一个值得关注的重点,例如,电动汽车的驱动电机逆变器、工业伺服电机等,这些应用的负载具有典型的电感特性,要求功率开关还必须兼备续流二极管的功能。因此,在二极管关断时,其余器件将传导负载电流,进行非钳位感性负载开关UIS操作,工作于雪崩状态是无法避免的。在这种雪崩期间,除过电压非常高之外,高耗散能量也是一个需要考虑的重要问题,因为器件必须耐受异常的电压和电流值。 采用失效检测算法和保护系统,配合同样基于“可靠性”标准的变换器设计方法,是很有必要的。但是,除了安全保护和最佳设计规则外,功率开关管还必须强健结实,即具有“鲁棒性”,才能耐受某种程度的异常工作条件,因为即便超快速检测算法和保护系统也无法立即发挥作用。SiC MOSFET的雪崩问题已成为一个重要的专题,由于该技术尚未完全成熟,因此需要进行专门的研究。 本文的目的是分析SiC MOSFET在雪崩工作条件下的鲁棒性。为了验证鲁棒性分析结果,我们做了许多实验。最后,我们介绍了器件在不同的UIS测试条件下的鲁棒性。 雪崩事件 通常来说,雪崩事件只有在器件达到击穿电压时才会发生。在正常工作条件下,凡是设置或要求高开关频率的应用都会发生这种现象。 以基于半桥转换器的应用为例,让我们详细解释一下雪崩现象。 图1(a)是一个简化的半桥转换器电路原理图,电路中有两个SiC MOSFET开关管,分别用QH和QL表示,除开关管外,还有一个感性负载;图1(b)是上面电路的等效电路图,最重要的部分是主要寄生元件,特别是代表电源回路等效寄生电感的LDH,LSH,LDL和LSL,电源回路是指连接+ DC电路(VDD)与QH漏极,QH源极至QL漏极,QL源极至-DC电路的电源轨。此外,LGH,LGL是QH和QL的栅极-源极路径信号回路的等效寄生电感。考虑到HiP247封装分立器件有三或四个引线,上面的寄生电感中包含SiC MOSFET焊线和引线的寄生电感,详细信息参见。同样重要的是,还要考虑SiC MOSFET的寄生电容CGS,CDS和CGD,这些参数是漏极-源极电压VDS的函数。 不难理解在下面两个案例的极端工作条件期间产生的电压尖峰: 1) 有源器件导通,无源器件的体二极管关断 2) 有源器件关断,无源器件的体二极管导通 用1200V,25mΩ,HIP247-4L封装的SiC MOSFET分立器件,按照图1的方案做实验测试,描述瞬变在什么情况下被定义为极端工作条件。为简单起见,将QL视为有源器件,它由适合的栅极驱动器电路控制;QH是无源器件,用作续流二极管,并且通常在相关终端施加-5V的恒定负栅极-源极电压。 图1:半桥转换器桥臂:(a)简化框图,(b)包括主要寄生元件的等效电路。 通过分析图2的实验结果,可以知晓案例1)的极端工作条件。 图 2:在850V, 130A,QH 体二极管关断时,VGS, ID 和VDS的典型波形。 本节重点介绍在QL导通时QH体二极管的“反向恢复”过程。测试条件是175°C,VDD=850V, ID=130A。SiC MOSFET的反向恢复过程是一个重要的课题,许多人都在研究这种现象。软恢复和硬恢复模式受载流子寿命、掺杂分布、裸片面积等因素影响。从应用角度来看,反向恢复特性主要与正向电流大小ID及其变化率diD/dt和 工作温度有关。图2显示了变化速率12A/ns 的ID引起的QH体二极管硬恢复特性。由于结耗尽非常快,漏极-源极电压VDS以最快的速度上升。在diD/dt 和 dirr/dt与寄生电感的综合作用下,尖峰电压现象严重,并且在VDS波形上看到振荡行为。另外,VGS波形出现明显振荡,应钳制该电压,以避免杂散导通。 通过优化转换器电路板布局,将寄生电感降至非常低,可以限制在电流变化率非常高的关断期间产生的电压尖峰,从而最大程度地利用SiC MOSFET的性能。 图3的实验测试结果解释了案例2)的极端工作条件。图中所示是在室温(25°C),850V,130A条件下QL“关断”时的相关参数波形。因为器件采用HIP247-4L封装,3.3Ω的栅极电阻Rg加快了关断瞬变,并且VDS的峰值非常高(约1550V)。 图 3:在850V, 130A条件下关断QL,VGS, ID, VDS 和 Poff的典型波形。 通过进一步降低Rg阻值提高关断速度,将会引发雪崩事件,不过,在本实验报告中没有达到雪崩状态。 但是,除极端工作条件外,元器件失效也会导致雪崩事件。 以前文提到的图1半桥转换器为例,当QH续流二极管失效,致使器件关断时,负载电流必须在关断瞬变期间流经互补器件QL,这个过程被称为非钳位感性负载开关UIS。在这个事件期间,器件必须承受某种程度的能量,直到达到QL击穿极限值为止。 这种失效机制与临界温度和热量产生有关。SiC MOSFET没有硅基器件上发现的其它失效模式,例如,BJT闩锁。在UIS条件下的雪崩能量测试结果被用于定义SiC MOSFET的鲁棒性。 图4(a)和图4(b)是SiC MOSFET的UIS测试结果。这些测试是在图1无QH的配置中做的,测试条件是VDD=100V, VGS=-5/18V, RGL=4,7Ω, L=50H, Tc=25°C,下一章详细解释这样选择的原因。 图4(a)所示是前三次脉冲测试。QL正在传导电流,在第一个脉冲时关断,如图中蓝色的VGS,VDS和ID的波形所示,有过电压产生,VDS略低于1500V,但器件没有雪崩。在增加脉冲周期后,如图中绿色波形所示,电流ID达到5A,器件开始承受雪崩电压。再重复做一次UIS测试,如黑色波形所示,电流值变大,但由于负载电感器较小,直到电流值非常大时才达到失效能量。 图4:UIS实验,(a)雪崩过程开始时的波形;(b)施加最后两个脉冲时的波形。 图4(b)所示是最后一种情况的测试结果。蓝色波形是在一系列单脉冲后,器件失效前倒数第二个脉冲产生的波形,从图中可以看到,器件能够处理关断瞬变,耐受根据下面的雪崩能量公式(1)算出的约0,7J雪崩能量,最大漏极电流为170A,雪崩电压平均值为1668V。 红色波形是在施加最后一个脉冲获得的失效波形,这时器件不再能够耐受雪崩能量,并且在t *时刻发生失效,漏极电流开始骤然增加。 鲁棒性评估和雪崩测试 我们用三组1200V SiC MOSFE做了UIS测试,表1列出了这三组器件的主要数据。 5(a)所示是测试等效电路图,5(b)所示是相关实验装置。QL是待测器件(DUT),测试目标是分析DUT的关断特性。 表1:SiC MOSFET规格 图5:UIS实验装置: (a)等效电路, (b) 实验台 设置A,B,C三种测试条件;施加周期递增的单脉冲序列,直到待测器件失效为止。 VDD=100V, VGS=-5/18V vs RGL=4,7Ω, 10Ω, 47Ω, at L=50uH, Tc=25°C vs L=50uH, 1mH, at RGL=4,7Ω, Tc=25°C vs Tc=25°C, 90°C, 200°C, at L=50uH, RGL=4,7Ω 为了便于统计,从D1,D2和D3三组器件中分别抽出五个样品,按照每种测试条件各做一次UIS实验,测量和计算失效电流和失效能量,参见图6,图7和图8。 图6(a)所示是从SiC MOSFET D3中抽出的一个典型器件,按照测试条件“A”做UIS测试的VDS 和ID失效波形。 图6:UIS对RG最终测试结果:(a) 一个D3样品的VDS和ID典型值;(b)平均失效能量EAV。 为了清楚起见,只给出了RG =4.7Ω和47Ω两种情况的波形。我们观察到,失效电流不受RGL的影响。图6(b)显示了D1,D2和D3三组的平均EAV。 注意到EAV失效能量略有降低,可忽略不计,因此,可以得出结论,在UIS测试条件下,这些SiC MOSFET的鲁棒性与RG无关。 图7(a)和(b)所示是按照测试条件B,在L=50H 和1mH时,各做一次UIS测试的失效波形,为简单起见,只从SiC MOSFET D3中抽取一个典型样品做实验。 在提高负载电感后,电感器储存的能量增加,因此,失效电流减小。 图7:UIS对L最终测试结果 (a) 在L=50H时, D3样品的VDS 和 ID 典型值 (b)在L=1mH时, D3样品的VDS 和 ID 典型值 (c) 平均失效能量EAV. 图7(c)显示了D1,D2和D3的平均EAV与L的关系,可以观察到,器件D3的失效能量EAV随着负载电感提高而显著提高,而D1和D2的EAV则略有增加。通过分析图8可以发现这种行为特性的原因。图8是根据等式(2)计算出来的结温Tj的分布图: 其中:T0是起始温度,PAV是平均脉冲功率,Zth是芯片封装热阻,本次实验用的是不带散热器的TO247-3L封装。 电感器储存能量的大小与电感值有关,储存能量将被施加到裸片上,转换成热能被耗散掉。 如图7(a)所示,低电感值会导致非常大的热瞬变,这是因为电流在几微秒内就达到了非常高的数值,如图7(a)所示,因此,结温在UIS期间上升非常快,但裸片没有够的时间散掉热量。相反,在高电感值的情况下,电流值较低,如图7(b)所示,并且裸片有足够的时间散掉热量,因此,温度上升平稳。 这个实验结果解释了为什么被测器件D3的EAV随负载电感提高而显着增加的原因,另外,它的裸片面积比SiC MOSFET D1和D2都大。 图8:典型D3器件的估算结温Tj对L曲线图。 最后,在图9中报告了测试条件C的UIS测试结果,测试条件C是封装温度的函数,用热电偶测量封装温度数值。 图9(a)所示是D3在Tc=25°C,90℃和200℃三个不同温度时的VDS和ID波形。不出所料,D1,D2和D3三条线的趋势相似,工作温度越高,引起器件失效的EAV就越低,图9(b)。 图9:UIS对Tc的最终测试结果;(a)D3样品在不同的Tc时的VDS和ID典型值;(b)平均失效能量EAV 对TC曲线 结论 本文探讨了在SiC MOSFET应用中需要考虑的可能致使功率器件处于雪崩状态的工作条件。为了评估SiC MOSFET的鲁棒性,本文通过实验测试评估了雪崩能量,最后还用三款特性不同的SiC MOSFET做对比测试,定义导致器件失效的最大雪崩能量。雪崩能量与芯片面积成正比,并且是栅极电阻、负载电感和外壳温度的函数。 这种在分立器件上进行的雪崩耐量分析,引起使用电源模块开发应用的设计人员的高度关注,因为电源模块是由许多并联芯片组成,这些芯片的鲁棒性需要高度一致,必须进行专门的测试分析。此外,对于特定的应用,例如,汽车应用,评估雪崩条件下的鲁棒性,可以考虑使用单脉冲雪崩测试和重复雪崩测试方法。这是一个重点课题,将是近期评估活动的目标。

    时间:2020-08-04 关键词: MOSFET 鲁棒性 SiC

  • 解析功率场效应管保护电路设计的方法,你了解吗?

    解析功率场效应管保护电路设计的方法,你了解吗?

    你知道解析功率场效应管保护电路设计的方法吗?它有什么作用?什么是保护电路 鉴于电源电路存在一些不稳定因素,而设计用来防止此类不稳定因素影响电路效果的回路称作保护电路。比如有过流保护、过压保护、过热保护、空载保护、短路保护等。 功率场效应管保护电路设计 功率场效应管自身拥有众多优点,但是MOSFET管具有较脆弱的承受短时过载能力,特别是在高频的应用场合,所以在应用功率MOSFET对必须为其设计合理的保护电路来提高器件的可靠性。功率MOSFET保护电路主要有以下几个方面: 1)防止栅极di/dt过高: 由于采用驱动芯片,其输出阻抗较低,直接驱动功率管会引起驱动的功率管快速的开通和关断,有可能造成功率管漏源极间的电压震荡,或者有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生,通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻,电阻的大小一般选取几十欧姆。 2)防止栅源极间过电压由于栅极与源极的阻抗很高,漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压,此电压会使很薄的栅源氧化层击穿,同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿,所以要在MOS管栅极并联稳压管以限制栅极电压在稳压管稳压值以下,保护MOS管不被击穿,MOS管栅极并联电阻是为了释放栅极电荷,不让电荷积累。 3)防护漏源极之间过电压 虽然漏源击穿电压VDS一般都很大,但如果漏源极不加保护电路,同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压,进而损坏MOS管,功率管开关速度越快,产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏,通常采用齐纳二极管钳位和RC缓冲电路等保护措施。 当电流过大或者发生短路时,功率MOSFET漏极与源极之间的电流会迅速增加并超过额定值,必须在过流极限值所规定的时间内关断功率MOSFET,否则器件将被烧坏,因此在主回路增加电流采样保护电路,当电流到达一定值,通过保护电路关闭驱动电路来保护MOSFET管。图1是MOSFET管的保护电路,由此可以清楚的看出保护电路的功能。 锂电池保护电路 由两个场效应管和专用保护集成块S--8232组成,过充电控制管FET2和过放电控制管FET1串联于电路,由保护IC监视电池电压并进行控制,当电池电压上升至4.2V时,过充电保护管FET2截止,停止充电。为防止误动作,一般在外电 路加有延时电容。当电池处于放电状态下,电池电压降至2.55V时,过放电控制管FET1截止,停止向 负载供电。 过电流保护是在当负载上有较大电流流过时,控制FET1使其截止,停止向负载放电,目的是为了保护电池和场效应管。过电流检测是利用场效应管的导通电阻作为检测电阻,监视它的电压降,当电压降超过设定值时就停止放电。在电路中一般还加有延时电路,以区分 浪涌电流和短路电流。该电路功能完善,性能可靠,但专业性强,且专用集成块不易购买,业余爱好者不易仿制。 因为Li+电池过充或过放可能会导致爆炸并造成人员伤害,所以使用这类电池时,安全是主要关心的问题。因此,商用锂离子电池组通常包括象DS2720这样的保护电路(图7)。DS2720提供了可充电Li+电池所需的所有保护功能,如:在充电时保护电池、防止电路过流、通过限制电池的放电电压延长电池寿命。以上就是解析功率场效应管保护电路设计的方法解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-08-03 关键词: MOSFET 保护电路 功率场效应管

  • A6862主要特性和优势_汽车三相固态继电器MOSFET驱动方案

    A6862主要特性和优势_汽车三相固态继电器MOSFET驱动方案

    Allegro MicroSystems公司的A6862是N沟功率MOSFET驱动器,具有三个独立的浮置栅极驱动输出,集成的电荷泵控制器稳压器在电源电压降至4.5V时有足够的栅极驱动电压大于7.5V,电源电压4.5V-50V,两个单独的激励输入,单个相位使能输入,主要用在ASIL系统的三相断开,电动助力转向系统(EPS),电制动和三相固态继电器驱动器.本文介绍了A6862主要特性和优势,框图,典型应用框图,以及演示板电路图,材料清单和PCB设计图. The A6862 is an n-channel power MOSFET driver capable of controlling MOSFETs connected as a 3-phase solid-state relay in phase-isolaTIon applicaTIons. It has three independent floaTIng gate drive outputs to maintain the power MOSFETs in the on-state over the full supply range with high phase-voltage slew rates. An integrated charge pump regulator provides the above battery supply voltage necessary to maintain the power MOSFETs in the on-state conTInuously when the phase voltage is equal to the battery voltage. The charge pump will maintain sufficient gate drive (>7.5 V) for battery voltages down to 4.5 V with 100 kΩ gate source resistors. The three gate drives can be controlled by a single logic-level input. In typical applications, the MOSFETs will be switched on within 8 μs and will switch off within 1 μs. Two independent activation inputs can be used to put the A6862 into a low-power sleep mode with the charge pump disabled. Undervoltage monitors check that the pumped supply voltage and the gate drive outputs are high enough to ensure that the MOSFETs are maintained in a safe conducting state. The A6862 is supplied in a 16-lead TSSOP (LP) with exposed pad for enhanced thermal dissipation. They are lead (Pb) free, with 100% matte-tin leadframe plating. A6862主要特性和优势: • Three floating n-channel MOSFET drives • Maintains VGS with 100 kΩ gate-source resistors • Integrated charge pump controller • 4.5 to 50 V supply voltage operating range • Two independent activation inputs • Single phase-enable input • VCP and VGS undervoltage protection • 150°C ambient (165°C junction) continuous A6862应用: • 3-phase disconnect for ASIL systems up to level D • Electric power steering (EPS) • Electric braking • 3-phase solid-state relay driver 图1. A6862框图 图2. A6862典型应用框图 图3. A6862演示板外形图 图4. A6862演示板电路图 A6862演示板材料清单: 图5. A6862演示板PCB设计图(1) 图6. A6862演示板PCB设计图(2) 图7. A6862演示板PCB设计图(3) 图8. A6862演示板PCB设计图(4)

    时间:2020-07-21 关键词: 驱动器 稳压器 MOSFET

  • 用于下一代汽车无刷直流系统的汽车功率集成模块

    用于下一代汽车无刷直流系统的汽车功率集成模块

    On Semi公司的STK984-190-E是用于下一代汽车无刷直流系统的汽车功率集成模块(PIM),包含6个40 V/30 A MOSFET配置为一个三相桥,及一个额外的40 V/30 A高边反向电池保护MOSFET.模块适用于12 V汽车电机驱动应用,额定功率达300 W,如电动泵,风机和挡风玻璃雨刮.工作温度范围为-40°C至150°C.所有集成的MOSFET都通过AEC-Q101认证.本文介绍了STK984-190-E主要特性,框图,典型应用电路,以及40V 30A DIP MOSFET功率模块评估板STK984-190-EGEVB主要特性,电路图,材料清单和PCB设计图.   The STK984-190-E is a MOSFET power module containing 6 MOSFETsin a three-phase bridge (B6) configuraTIon and a seventh MOSFET usedas a reverse battery protecTIon switch. The compact module is 29.6 mmx18.2 mm and is 4.3 mm high (see package drawing for specificaTIondetails)。 The MOSFET module uses a DBC substrate for excellentthermal performance. The module is suitable for 12 V automoTIve andindustrial applications with motors rated up to 300 W.   STK984-190-E主要特性:   Three-phase MOSFET bridge with reverse battery protection switch   Device is PPAP capable.   Compact 29.6 mmx18.2 mm dual in-line package   Motor power up to 300 W for 12 V systems   40 V MOSFETs with 30 A continuous and 85 A pulse current ratings   RDS(ON) = 9.5 mohmmax   QGD = 9.8 nC typical   STK984-190-E应用:   Automotive Pumps   Automotive Fans   12 V Industrial Motors 图1.STK984-190-E功能框图 图2.STK984-190-E应用案例电路图 评估板STK984-190-EGEVB:40V 30A DIP MOSFET功率模块评估板 The STK984-190-EGEVB is designed to evaluate the STK984-190E, a MOSFET power module containing 6 MOSFETs in a three-phase bridge (B6) configuration and a seventh MOSFET used as a reverse battery protection switch. The MOSFET module uses a DBC substrate for excellent thermal performance and is suitable for 12 V automotive and industrial applications with motors rated up to 300 W. 图3.评估板STK984-190-EGEVB外形图 图4.评估板STK984-190-EGEVB电路图 评估板STK984-190-EGEVB材料清单: 图5.评估板STK984-190-EGEVB PCB设计图

    时间:2020-07-20 关键词: pim MOSFET

  • Power Supply WebDesigner设计工具能提供一整套节省时间的LED驱动器设计工具

    Power Supply WebDesigner设计工具能提供一整套节省时间的LED驱动器设计工具

    随着政府强制禁用白炽灯的法令已经开始严格执行,LED 照明市场持续增长,然而在寻求有效设计电源系统以实现 LED 小型化方面仍然存在不少挑战。诸如双向可控硅调光控制、应对全球良莠不齐的电源线路法规、降低成本、提高效率,和支持更广泛的输出功率范围等需求更增加了设计的复杂性。Fairchild 最近发布了FL7733A和FL7734初级端调节 (PSR) LED 驱动器产品和800 V SuperFET® II MOSFET,成功满足了这些需求。 LED 照明设计工程师仍面临一个不算小的挑战 – 将所有部件放置在一起,形成一个有效的电力电子系统,如图 1 所示。考虑到这些工程师,Fairchild 已经加强了 Power Supply WebDesignerTM在线设计和模拟工具,包括了可同时用于非调光和相切调光照明应用的高性能 PSR 反激式/Buck-Boost LED 驱动器。 图 1: 采用Buck-Boost拓扑的 10 W – 100 W LED 电源系统 根据这些工程师的特定设计要求,Power Supply WebDesigner 工具能够快速、准确地评估设计性能并能够改进设计。这些工具还允许用户进行详细的仿真分析(图 2),并获得其设计和硬件样品如何才能以更高的可信度配合工作的见解,这些全部都在几分钟内完成。若有其他合作,用户可以保存其设计,以供将来参考,或轻松与其他工程师共享其设计,以进行复审。 图 2 : 电源系统仿真 Power Supply WebDesigner 工具为新手设计人员提供快速的引导性设计经验,同时允许有经验的设计人员进一步定制关键的设计因数。该工具提供推荐的所有电源系统元件,包括 Fairchild 的 800 V SuperFET II MOSFET、LED 驱动器 IC 和整流桥及原理图。通过让工具直接推荐或微调电感器、EMI 滤波器设计,设计人员可以预测关键的系统功率因数和 THD 结果。由于能够可视化不同线路和负载条件下的主要元件功耗和系统效率(图 3),有经验的设计人员能够优化元件的选择,从而通过设计最后再提高一些效率。 图 3 : 不同线电压和负载条件下的详细损耗分析 Power Supply WebDesigner 设计工具提供一整套节省时间的 LED 驱动器设计工具,可用于设计和优化 LED 驱动器。这些在线工具提供的经验范围包括从器件到系统分析和仿真,都在几分钟内完成。不管经验是否丰富,在设计甚至最具挑战性的双向可控硅调光 LED 驱动器时,这些工具都能够提高有效性、效率和可靠性。

    时间:2020-07-18 关键词: MOSFET ic led驱动器

  • 英飞凌推出62mm CoolSiC™模块,为碳化硅开辟新应用领域

    【2020年7月14日,德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司为其1200 V CoolSiC™ MOSFET模块系列新增了一款62mm工业标准模块封装产品。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计,以及沟槽栅芯片技术,为碳化硅打开了250kW以上(硅IGBT技术在62mm封装的功率密度极限)中等功率应用的大门。在传统62mm IGBT模块基础上,将碳化硅的应用范围扩展到了太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。 该62mm模块配备了英飞凌的CoolSiC MOSFET芯片,可实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大限度地减少冷却器件的尺寸。在高开关频率下运行时,可使用更小的磁性元件。借助英飞凌CoolSiC芯片技术,客户可以设计尺寸更小的逆变器,从而降低整体系统成本。 它采用62mm标准基板和螺纹接口,具有高鲁棒性的结构设计,从而最大限度地优化并提高系统可用性,同时降低维修成本并减少停机损失。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度(Tvjop),带来出色的系统可靠性。其对称的内部设计,使得上下开关有了相同的开关条件。可以选装“预处理热界面材料”(TIM)配置,进一步提高模块的热性能。 供货情况 采用62 mm封装的1200 V CoolSiC™MOSFET有6mΩ/ 250 A、3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型号可供选择。它还有专为快速特性评估(双脉冲/连续工作)而设计的评估板可供选择。为了便于使用,它还提供了可灵活调整的栅极电压和栅极电阻。同时,还可作为批量生产驱动板的参考设计使用。

    时间:2020-07-14 关键词: 英飞凌 MOSFET 碳化硅

  • Vishay推出新款30 V MOSFET半桥功率级模块,输出电流提高11 %

    Vishay推出新款30 V MOSFET半桥功率级模块,输出电流提高11 %

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年7月9日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款30 V n沟道MOSFET半桥功率级模块---SiZF300DT,将高边TrenchFET®和低边SkyFET® MOSFET与集成式肖特基二极管组合在一个小型PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm封装中。Vishay Siliconix SiZF300DT提高了功率密度和效率,同时有助于减少元器件数量,简化设计,适用于计算和通信应用功率转换。 日前发布器件中的两个MOSFET采用半桥配置内部连接。 通道1 MOSFET在10 V和4.5 V条件下,最大导通电阻分别为4.5 mW和7.0 mW。通道2 MOSFET在10 V和4.5 V条件下,导通电阻分别为1.84 mW和2.57 mW。两个MOSFET典型栅极电荷分别为6.9 nC和19.4 nC。 SiZF300DT比6mm x 5mm封装类似导通电阻的双片器件节省65 %的空间,是市场上最紧凑的集成产品之一。器件为设计人员提供节省空间的解决方案,适用于图形加速卡、计算机、服务器以及通信和RF网络设备的负载点(POL)转换、电源以及同步降压和DC / DC转换器。 双MOSFET采用独特的引脚配置结构,电流相位输出电流比相同占位面积的同类产品高11 %,此外,输出电流超过20 A时具有更高的效率。器件引脚配置和大PGND 焊盘还可以增强散热,优化电路,简化PCB布局。 SiZF300DT 经过100 % Rg和UIS测试,符合RoHS要求标准,无卤素。 新款双MOSFET模块现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为12周。

    时间:2020-07-09 关键词: Vishay MOSFET 肖特基二极管

  • 电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET,你了解吗?

    电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET,你了解吗?

    什么是电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET?它有什么作用?2019年1月22日 - 意法半导体的MDmesh™ DM6 600V MOSFET含有一个快速恢复体二极管,将该公司最新的超结(super-junction)技术的性能优势引入到全桥和半桥拓扑、零电压开关(ZVS)相移转换器等通常需要一个稳定可靠的二极管来处理动态dV/dt的应用和拓扑结构里。 MDmesh DM6 MOSFET利用意法半导体先进的载流子寿命控制技术减少反向恢复时间(trr),最大限度地降低续流后关断期间二极管的耗散功率。优化的恢复软度增强了产品可靠性。此外,极低的栅极电荷(Qg)和导通电阻(RDS(ON))以及针对轻负载优化的电容曲线,使应用能够实现更高的工作频率和更高的能效,简化热管理设计并降低EMI干扰。 这些新器件非常适用于电动汽车充电桩、电信设备或数据中心电源转换器和太阳能逆变器等,更稳定的性能和更高的功率密度让应用设计的电能额定参数更加优异。 MDmesh DM6系列属于STPOWER™产品组合,全系共有23款产品,额定输出电流范围15A至72A,栅极电荷(Qg) 20nC至117nC,RDS(ON)电阻0.240 Ω至0.036 Ω,采用主流的功率封装,包括新的低电感无引线TO-LL、PowerFLAT 8x8 HV、D2PAK、TO-220和TO-247,其中TO-247配备短引线、长引线或Kelvin引脚,适合有精密电流检测需求的应用。以上就是电桥和ZVS转换器带来卓越性能的ST 超结MOSFET解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-07-03 关键词: st MOSFET zvs转换器

  • 小型表面贴装LDO稳压器系列,你知道吗?

    小型表面贴装LDO稳压器系列,你知道吗?

    什么是小型表面贴装LDO稳压器系列?它有什么特点?2019年3月20日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出两款全新系列的小型表面贴装LDO稳压器---TCR5BM系列和TCR8BM系列,用于移动设备、影像和音视频产品的电源供电应用。TCR5BM系列包含40个型号,支持低至100mV的压差和最大500mA的输出电流;TCR8BM系列同样包含40个型号,支持低至170mV的压差和最大800mA的输出电流。TCR5BM系列和TCR8BM系列均可提供低至0.8V或高至3.6V的VOUT。 两款系列均适用于移动设备、影像和音视频设备中的MCU、RF器件、摄像头CMOS传感器的电源应用。这些设备逐渐普及1V左右较低电压的使用。 新产品已于2019年1月开始量产,今天开始发货。 通过使用最新一代工艺制造的低导通电阻N沟道MOSFET和外部偏置电压,两系列都能把造成功耗的压差降低到东芝目前产品[1]的67%左右,达到行业最低水平[2]。 此外,新产品具有98dB(典型值)的纹波抑制比,能稳定抑制来自外部环境和DC-DC转换器的高频噪声,避免故障发生。它们还可提供快速负载瞬态响应,以避免由于IC工作模式的迅速切换引起的故障。 新LDO稳压器系列的静态电流比市场上的其它高电流LDO稳压器约低50%[2],可降低设备的功耗,并延长电池供电设备的工作时间。 两系列均采用小型表面贴装的1.2mm×1.2mm DFN5B[3]封装,非常适合空间受限的设计。TCR5BM系列最大支持500mA电流,TCR8BM系列最大支持800mA电流,可以让用户更轻松地设计产品。 应用: 移动设备、影像和音视频设备 CMOS传感器电源 MCU电源 RF电源 特性: 低压差: VDO=100 mV(典型值) (TCR5BM系列) VDO=170 mV(典型值) (TCR8BM系列) 高纹波抑制比:R.R.=98 dB (典型值) 快速负载响应特性,可确保工作模式变化时稳定工作。以上就是小型表面贴装LDO稳压器系列的解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-07-02 关键词: MOSFET ldo稳压器 tcr5bm

  • 半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED,你接触过吗?

    半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED,你接触过吗?

    什么是半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED?它有什么作用?2019年3月28日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新系列采用无色表面贴装和半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED---VLD.1232..系列。 Vishay Semiconductors VLD.1232..系列器件采用最先进的InGaN /蓝宝石衬底芯片技术,发射角缩小到± 9°,不需要外置透镜,亮度极高,典型发光强度达到16 000 mcd。 日前发布的LED亮度极高,小型塑壳外形尺寸为2.3 mm x 2.3 mm x 2.8 mm,性能可靠,是交通信号灯和指示灯、室内外照明、音响和视听设备指示灯和背光、LCD开关以及灯箱广告等广泛应用的理想选择。 新系列器件有鸥翼和倒鸥翼两种版本,光通量高,ESD耐受电压高达2 kV,符合JESD22-A114-B标准,按照亮度和颜色分装。VLD.1232.. 系列LED符合RoHS和Vishay绿色标准,无卤素,可采用符合J-STD-020的回流焊工艺,按照JEDEC Level 2a要求加工。以上就是半球形透镜的蓝色和纯绿色超亮LED解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-07-01 关键词: 芯片 MOSFET 二极管

  • 集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC,那你知道吗?

    集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC,那你知道吗?

    什么是集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC?它有什么作用?2019年5月7日讯– 深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司(纳斯达克股票代号POWI)今日发布一系列集成了900 V初级MOSFET的离线式开关电源IC。 新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式电源的IC,也包括适合简单型非隔离降压式变换器的IC。其应用范围包括480 VAC三相工业电源以及专供电网不稳定地区、时常遭受雷击的热带地区或者经常发生高能振荡波和浪涌的地区的高品质消费电子产品的电源设计。 新产品包括适合简单型非隔离降压式变换器的900 V版LinkSwitch-TN2 IC,以及适合35 W极高效率隔离反激式电源的三款InnoSwitch3-EP旗舰系列IC。所有900 V系列器件都具有内部控制引擎,可在整个负载范围内提供一致的高效率,从而使设计轻松满足能源相关产品(ErP)的限值。此外,这些器件还可提供多种输入电压及负载保护,进一步增强系统稳定性和可靠性。 900V LinkSwitch-TN2 IC可以提供元件数最少的降压式变换器开关电源方案。这些器件的限流点可外部进行设定,同时还完全集成了短路及开环故障状态下的自动重启动保护特性。频率调制的使用可大幅降低EMI。无论在PCB板上还是在IC封装上,器件均能保证漏极引脚至其他引脚之间的高压爬电间距和空间距离符合要求。 900V InnoSwitch3-EP反激式开关电源IC可提供无损耗的输入过压保护检测,在输入电压超过选定的阈值时可自动中断开关,可防止在严重输入过压情况下对电源造成损坏。器件在各种输入电压及负载条件下均可提供业界领先的高效性能(效率达90%),从而可降低电源损耗,实现无需散热片的紧凑型35 W电源设计。这些900V InnoSwitch3-EP IC采用Power Integrations创新的隔离式数字通信技术 ——FluxLink™,此外还具有同步整流(SR)、准谐振(QR)开关以及精确的次级侧反馈检测和控制电路。这些特性可实现高效率、高精度和高可靠性的电源电路,并且无需不可靠的光耦器。 高级产品营销经理Silvestro Fimiani表示:“这些开关电源IC可让三相电表、电机、工业辅助电源、家电以及手机充电器的设计人员实现真正兼容互通的电源设计,满足世界各地用户的可靠性预期。 例如,致力于打开印度高质量消费类产品新兴市场的OEM厂商不断遭遇电气损坏问题,必须对退货产品进行维修或更换。我们的900 V开关电源IC可提供低成本且有效的保护,同时大幅降低运营及产品支持成本。”以上就是集成了900V MOSFET的全系列开关电源IC解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-07-01 关键词: pi MOSFET 开关电源ic

  • SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器,你了解吗?

    SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动器,你了解吗?

    什么是SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动?它有什么作用?碳化硅(SiC) MOSFET可大幅提高大功率逆变器应用的开关性能,能够在增强热性能的同时提供较高的击穿场强及开关频率。不过,SiC要求在更紧凑的设计中能够获得更快速的短路保护,这对门极驱动器提出了独特的挑战 —— 需要在不同的SiC架构中支持各种不同的门极电压。 PI全新的SIC1182K SCALE-iDriver™ IC 是一款市售可提供高效率的单通道SiC MOSFET门极驱动器,可提供最大峰值输出门极电流且无需外部推动级。它经过设定后可支持不同的门极驱动电压,来满足市售SiC MOSFET的需求。 SIC1182K采用PI的FluxLink™通信技术,可显著提高可靠性并提供1200V加强绝缘。 完善的保护特性包括: 高级有源钳位(AAC) 超快速短路检测 过流故障关断 原方和副方欠压保护(UVLO) 其主要应用包括不间断电源(UPS)、光伏系统、伺服驱动器、电焊机和电源。以上就是SCALE-iDriver SiC-MOSFET门极驱动解析,希望能给大家参考。

    时间:2020-07-01 关键词: pi MOSFET 门极驱动器

  • 击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器,你知道吗?

    击穿电压最高的1050V MOSFET VIPer转换器,你知道吗?

    什么是意法半导体, 1050V MOSFET VIPer转换器?它有什么作用?意法半导体VIPer26K发布高压功率转换器,集成一个1050V耐雪崩N沟道功率MOSFET,使离线电源兼备宽压输入与设计简单的优点。 VIPer26K MOSFET具有极高的额定电压,无需传统垂直堆叠FET和相关无源元件,即可实现类似的电压处理能力,可采用尺寸更小的外部缓冲器元件。转换器内置漏极限流保护功能,MOSFET包含一个用于过温保护的senseFET引脚。 单片集成高压启动电路、内部误差放大器和电流式PWM控制器,VIPER26K支持所有常见开关式电源拓扑,包括原边或副边稳压隔离反激式转换器、电阻反馈非隔离反激式转换器、降压转换器和降压 - 升压转换器。 市场上最高的MOSFET击穿电压,结合片上集成的一整套功能,需要极少的外部电路,这些特性使设计人员能够节省物料清单成本和电路板空间,同时提高电源的可靠性,例如,单相和三相智能电表、三相工业系统、空调和LED照明的电源。 新产品还有很多其它优点,例如,内部固定开关频率60kHz,抖动±4kHz,配合MOSFET开通和关断期间栅极电流控制功能,可以最大限度地降低开关噪声辐射。高转换效率和低于30mW的空载功耗,有助于应用达到高能效等级和严格的生态设计要求。以上就是意法半导体, 1050V MOSFET VIPer转换器解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-06-30 关键词: 转换器 意法半导体 MOSFET 1050v viper转换器

  • 业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET,你了解吗?

    业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET,你了解吗?

    什么是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET?它有什么作用?日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN,业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件,10 V条件下最大导通电阻降至4 mW,采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。 Vishay Siliconix SiSS22DN专门用于提高功率转换拓扑结构的效率和功率密度,栅极电荷仅为22.5 nC,同时具有低输出电荷(QOSS)。 与逻辑电平60 V器件不同,SiSS22DN提高了典型VGS(th)和Miller(米勒)平台电压,适用于栅极驱动电压高于6 V的电路,器件最佳动态特性缩短死区时间,防止同步整流应用发生击穿。SiSS22DN业内低导通电阻比排名第二的产品低4.8%—与领先的逻辑电平器件不相上下—QOSS为34.2 nC,QOSS与导通电阻乘积,即零电压开关(ZVS)或开关柜拓扑结构功率转换设计中,MOSFET的重要优值系数(FOM)达到最佳水平。为实现更高功率密度,器件比6 mm x 5 mm封装类似解决方案节省65%的PCB空间。 SiSS22DN改进了技术规格,经过调校最大限度降低导通和开关损耗,多电源管理系统构件可实现更高效率,包括AC/DC和DC/DC拓扑结构同步整流、DC/DC转换器主边开关、降压-升压转换器半桥MOSFET功率级,以及通信和服务器电源OR-ing功能、电动工具和工业设备电机驱动控制和电路保护、电池管理模块的电池保护和充电。 MOSFET经过100 % RG和UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。以上就是业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件60V MOSFET解析,希望能给大家帮助。

    时间:2020-06-30 关键词: 电路 MOSFET siss22dn

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