英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装，为现代汽车应用提供更高效率

【2024年4月12日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY）推出采用 OptiMOS™ MOSFET技术的SSO10T TSC 封装。该封装采用顶部直接冷却技术，具有出色的热性能，可避免热量传入或经过汽车电子控制单元的印刷电路板（PCB）。该封装能够实现简单、紧凑的双面PCB设计，并更大程度地降低未来汽车电源设计的冷却要求和系统成本。因此，SSO10T TSC适用于电动助力转向（EPS）、电子机械制动（EMB）、配电、无刷直流驱动器（BLDC）、安全开关、反向电池和DCDC转换器等应用。

PG-LHDSO-10-1-2-3组合

SSO10T TSC的占板面积为5 x 7 mm²，并且基于已确立的行业标准 SSO8（5 x 6 mm²的坚固外壳）。但由于采用了顶部冷却，SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上，最高可高出50%（具体取决于所使用的热界面（TIM）材料和TIM的厚度）。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品，能够与开放市场第二供应商的产品进行广泛兼容。因此，该封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。

SSO10T半导体封装能够实现高度紧凑的PCB设计，减少系统占用空间。它还通过消除通孔降低了冷却设计的成本，进而减少了整体系统成本和设计工作量。同时，该封装还提供高功率密度和高效率，从而支持面向未来的可持续汽车的发展。

供货情况

首批采用SSO10T的40 V汽车MOSFET产品现已上市，分别是：IAUCN04S6N007T、IAUCN04S6N009T、IAUCN04S6N013T和IAUCN04S6N017T。