Xilinx:16nm再次全线进化

 赛灵思(Xilinx)是FPGA领域中的领军企业之一，它的每一次大动作都对整个FPGA行业产生深远的影响。近日，赛灵思再度发力，利用新型存储器、3D-on-3D 和多处理SoC等创新技术，产品全线向16nm进化。

整体再度进化

赛灵思公司全球高级副总裁亚太区执行总裁汤立人介绍说：“从28nm时代开始，赛灵思就利用技术优势在业界实现了多个第一。20nm时代，All Programmable UltraScale更是保持了领先态势，在很多竞争对手还在20nm节点发力之时。赛灵思又开始新一步进化，在16nm节点推出了UltraScale+ 产品组合系列，继续拉大了和竞争对手的差距。”

赛灵思本次发布UltraScale+ FPGA 系列包括Kintex UltraScale+ FPGA和Virtex UltraScale+ FPGA以及3D IC系列，其中Zynq UltraScale+系列还包含业界首款全可编程MPSoC。借助这些全新的产品组合，赛灵思能够满足各种下一代应用需求，包括LTE Advanced、早期5G无线、Tb级有线通信、汽车驾驶员辅助系统，以及工业物联网(IoT)应用等。

汤立人表示：“16nm的UltraScale+ 产品组合系列系统级性能和上代产品相比，整体提升了2—5倍，同时系统集成度也大大提升，在保密性和安全性等层面也有相应提高。赛灵思选用了台积电的 16nm FinFET+ 技术，台积公司预计于 2015 年推出 50 多款 16nmFF+ 流片。采用 FinFET，单就平面提升而言，UltraScale+ FPGA 系统的系统级性能功耗比就能提高 2 倍。”

技术全面提升

赛灵思此次推出的UltraScale+ 产品组合绝不仅仅是生产工艺方面的进步，在存储器、互连优化、3D-on-3D 和多处理SoC等方面都有全面提升。

在过去存储经常成为FPGA和SoC系统性能和功耗的最大瓶颈，这次UltraScale+利用包含UltraRAM存储器增强型可编程器件，容量高达 432Mb。UltraRAM 可提供最佳系统功耗、灵活性和可预见的性能，同时能取代外部存储器，从而降低系统材料清单(BOM)总成本。采用 UltraRAM，不仅能让典型设计的系统级性能功耗比提升至少 25%，而且还能大幅提升存储器密集型设计的性能、显著降低功耗及材料清单(BOM)成本。

针对互联问题，赛灵思还专门针对 FPGA 开发了一项基于工具的互联优化技术 SmartConnect。这项技术能够根据特定设计的吞吐量、时延和面积要求自动优化互联，同时提供最佳性能功耗比，从而解决系统级 IP互联瓶颈。SmartConnect 还能智能连接不同接口类型，根据特定应用要求匹配合适的互联方案。仅凭这项技术就能提升系统级性能功耗比和缩减面积 20% 到 30%。

3D-on-3D技术则是高端UltraScale+系列集合了3D晶体管和赛灵思第三代3D IC的组合功耗优势。正如FinFET相比平面晶体管实现性能功耗比非线性提升一样，3D IC相比单个器件实现系统集成度和单位功耗带宽的非线性提升。

全新Zynq UltraScale MPSoC通过部署上述所有FPGA技术，实现了异构多处理能力，从而能够实现“为合适任务提供合适引擎”。这些新器件相对此前解决方案可将系统级性能功耗比提升约5倍。位于处理子系统中心的是64位四核ARM Cortex®-A53处理器，能实现硬件虚拟化和非对称处理，并全面支持ARM TrustZone。

汤立人表示：“针对战略客户，赛灵思已经为他们提供了UltraScale+设计工具。针对早期进入客户则在2015年第二季度提供。针对芯片本身，首款流片会在 2015年第二季度，首次发货则是2015年第四季度”