超越SOI，Soitec将优化衬底技术向GaN、SiC扩展

Soitec是全球优化衬底最大的制造商，凭借其两个核心技术-Smart Cut和Smart Stacking，Soitec为行业提供创新的材料及优化衬底设计，这些创新被用于加工晶体管，从而为智能手机、汽车、云、物联网等领域的终端产品带来性能和功能的提升。

最近，第七届SOI产业高峰论坛在上海召开，作为中国SOI生态圈的忠实伙伴，Soitec受邀参加并作了主题演讲，介绍了FD-SOI技术在5G时代的发展。同期，Soitec 全球策略执行副总裁 Thomas Piliszczuk 博士向行业媒体介绍了Soitec在硅基及第三代半导体材料的布局，超越SOI，Soitec正在将优化衬底技术向更多领域扩展。

Soitec的产品家族

其中，RF-SOI产品是Soitec的旗舰产品，由于它天生的绝缘性和信号完整性优势，使得RF-SOI特别适合LTE和5G应用中。RF-SOI主要用于手机的射频前端模块，提升通信功能。，目前基本上所有的手机上都在使用RF-SOI，像调谐器、PA(功率放大器)、调谐器开关、LNA(低噪声放大器)这些元器件都使用了Soitec的RF-SOI。从3G、4G到5G，RF-SOI的使用范围也越来越广。

FD-SOI用于非常低功耗的模拟还有数字的计算，它可以为5G网络应用带来宽带宽、 RF / 数字集成的优势;为汽车应用带来高可靠性、高压电集成;为边缘计算和AI带来可重构高性能计算;为IoT应用带来成本效率、高续航性;为手机应用带来制造能力、低泄露(能源)的优势，所以，FD-SOI的应用范围很广，从5G到汽车、物联网，还有边缘人工智能等都是FD-SOI的应用场所。

Power-SOI主要用于需要非常大的稳定性的高功率器件，用于像汽车、工业生产等应用中。Photonics-SOI用于数据中心光学数据的收发应用。Imager-SOI用于像手机的面部识别等应用中的图像传感器产品。

除了上面这些硅基的SOI产品，Soitec正在将这种优化衬底技术扩展到更广泛的应用领域，例如化合物半导体的氮化镓、碳化硅等材料上。

压电绝缘材料POI，这种衬底主要用于下一代的射频滤波器。随着4G、5G到来，频谱越来越密集，对滤波器的滤波功能提出更严格的要求，采用POI技术生产的滤波器可以满足4G、5G时代对滤波器强大功能的要求。

氮化镓材料由于天生的优势，特别适合高频率和高功耗的应用，例如：5G的基站等。为此，早在2019年5月，Soitec就收购了领先的氮化镓(GaN)外延硅片供应商——EpiGaN nv，将氮化镓纳入其优化衬底产品组合，通过此次收购，Soitec的产品可渗透到指向功率放大器(PA)的sub-6GHz基站市场。

碳化硅也是一个很有应用前景的化合物半导体，但它在生产上一直存在良率偏低的问题，Soitec目前正在着手解决这一问题，将创新的优化衬底技术引入碳化硅，帮助提升碳化硅的产量，降低成本。

另外，Soitec还在开发新的材料-硅基铟氮化镓，它主要用于MicroLED产品中，据预测，这个新材料在未来几年将会非常流行，用于生产高分辨率、低功耗的显示屏、显示器，例如智能手表、智能手机等。

根据Soitec的预测，从2019年到2024年，其在SOI产品上的增长率约为15-25%，非硅基的衬底产品如POI、EpiGaN等可服务市场将达5亿美元，而将新型化合物半导体引入衬底技术将带来更广阔的市场机遇。