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[导读]  1、自己做了个STM32的板子,但是手里没有8M的晶振,所以就用了,12M的,但是不正常,上电之后PA15和PA14接的是两个led,PA15接的led常亮,PA14接的的led不亮,而且芯片下载程序又能下载,应该不是芯片坏的问题吧

  1、自己做了个STM32的板子,但是手里没有8M的晶振,所以就用了,12M的,但是不正常,上电之后PA15和PA14接的是两个led,PA15接的led常亮,PA14接的的led不亮,而且芯片下载程序又能下载,应该不是芯片坏的问题吧,而且不管我些什么程序进去,两个脚的状态都不变,我怀疑是电路有问题,可是我仔细检查了电路和板子,都没问题,JTAG正常使用。我用的是12M的晶振,这会有影响吗?感觉不管下什么程序进去感觉芯片好像没有运行。

  答:如果使用12M的晶振,那么要修改启动文档中的关于RCC的语句。因为如果你使用库文件的话,ST的库,默认外部晶振是8M,所以如果你不修改RCC部分的语句,会造成CPU不启动,或者启动不成功。现象是,在MDK环境下,能够通过JTAG识别到芯片,但是无法下载或者debug。会提示can not attach CPU。

  2、突然想到这个问题,外部无源晶振选择大小的区别是什么?对STM32芯片它都要先分频,再倍频。我在想,假设,如果它分频都要降到2M,再倍频上去那我直接2M的晶振1分频再倍频,跟24M先12分频再倍频他们的区别是什么?还是说本身就是任意的,根据自己需要选择?

  答:方便各种应用场景。

  3、自己做的STM32F103RBT6板子,外接8M晶振,现在程序下载正常,运行正常,在程序初始化时用到Stm32_Clock_Init(9)这条语句,我想问下是不是外部晶振如果没起振在执行这条语句时会停止?也就是说我的程序下载和运行都正常说明外部晶振肯定起振了,而且已经倍频到72M了。

  答:默认是用内部8M RC震荡的,你切换为PLL之后,才是使用8M倍频的,如果你注释掉Stm32_Clock_Init(9),那么代码也会跑,但是是用内部8M RC震荡。

  4、外部晶振换成了25MHz,但是想方便的移植以前8MHz板子上程序,应该怎么修改系统时钟?看了system_stm32f10x.c系统时钟设置,但是不知道怎么修改!下面参数是system_stm32f10x.c系统时钟设置

  //默认SYSCLK_FREQ_72MHz 可在system_stm32f10x.c改变设置。

  //默认 HCLK = SYSCLK;

  RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_HPRE_DIV1;

  //默认 PCLK2 = HCLK

  RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE2_DIV1;

  //默认 PCLK1 = HCLK

  RCC->CFGR |= (uint32_t)RCC_CFGR_PPRE1_DIV2;

  //默认 PLL as system clock source; RCC_CFGR_SW_PLL;

  答:25M不用想了,必须是25的整数倍才行。

  要是把它设置成75MHz 具体怎么修改哪些配置参数?25*3=75,设置倍频数为3。但是库函数这个不懂,寄存器的就很简单。

  5、STM32的RTC不能用,想确定是否硬件问题。但不知道测量的是哪2个引脚。

  答:1,去掉RTC晶振的电容。

  2,换晶振。

  如果1、2还不行,多换几个晶振;如果还不行,换MCU。换到能用为止; STM32的RTC,就这么蛋疼。

  6、手头有几块RTC初始化不成功的,到底是啥原因,用示波器也看不到波形,一共有30块板子大概有5块出现这种问题,时钟不正常,其中拿一块是换了IC,然后OK的,不会是IC问题吧,如果是IC问题,那后期生产不好弄啊。

  答:就算你用6pf负载电容晶振,STM32的rtc还是会有一部分不能起振的。如果产品确实需要RTC功能,我建议你还是外加RTC芯片靠谱点。

  7、32K内部晶振、16M内部晶振、32K外部晶振,弱弱的想有16M的可以分频还要那两个干嘛啊,为什么分内外啊16M的为什么不设成外部晶振呢?以下是百度的一段话,外部晶振稳定内部晶振的误差比较大,但如果对频率要求不高的话(比如不涉及串口通信和精确定时等的话,用内部晶振就行。内部时钟,频率受温度等其它影响,但是能省下晶振的钱,还有2个I/O。如果对频率要求不高,一般是优先选用内部振荡。如果你要省电,用了SLEEP,那你就不能用内部振荡了,内部振荡回停止!

  答:STM32一般推荐用内部8MRC或者外部8M晶振。你这个16M,除非个人癖好,一般没必要用。 用内部还是外部,主要看你自己的考虑了。理论上说,外部准确度高,用到USB通信的时候,建议用外部晶振。另外,内部RC是无法倍频到72M的,最高是4*16=64Mhz。但是内部晶振如你所说:1、不占空间。2、省成本。所以,底用内部还是用外部,根据自己需求来就可以了。

  8、求一个用内部晶振HSI作系统时钟源的系统时钟配置函数。最好是寄存器版的。

  答:把我们的Stm32_Clock_Init屏蔽,用的就是内部8M RC震荡了。

  9、焊接了一个STM32F103C8T6的最小系统,晶振是16MHZ,程序不能正常运行?怎样修改哪些程序使芯片的还是在72MHZ下工作。只用下面这个函数修改时钟,但是程序还是不能运行,串口发送数据一堆没用的数据。该怎样设置???

  答:修改SetSysClockTo72函数中有关时钟配置的地方。

  

  RCC->CFGR&=(uint32_t)~(RCC_CFGR_PLLXTPRE | RCC_CFGR_PLLSRC | RCC_CFGR_PLLMULL);

  RCC->CFGR=(uint32_t)(RCC_CFGR_PLLXTPRE_PREDIV1 | RCC_CFGR_PLLSRC_PREDIV1 | RCC_CFGR_PLLMULL9);

  以上是8M晶振的设置,把分频和倍频改成你要的值。

  10、请问在“OptionforTarget”里的“Target”的XTAL填的MHZ数就是开发板上那个两头圆的晶振的参数吗,我的那个上面显示的Y8.000,是不是就填8就可以了。另外,还有一个圆柱形两个管脚的听说那也是晶振,那“Target”里XTAL的参数到底该照谁的填?ALIENTEK教程里的源代码默认都是72MHZ,应该都要改吧。

  答:填8M,32.768K是rtc晶振不用填。

  11、STM32没有8M的外部晶振,依然可以运行跑马灯实验(程序设定使用外部晶振),有人知道是为啥不?自己焊了一块板子,没有接外部的8MHZ晶振,可是将原子的跑马灯程序下载进去之后,小灯竟然间歇性的闪烁了。可是原子的程序里面明明是用的外部晶振啊!

  答:没外部的直接切换到内部晶振。

  12、stm32f103c8t6的五六脚应该接多大的晶振?

  答:系统时钟(SYSCLK)有3个来源,内部高速8M时钟(HSI),PLL时钟和外部高速时钟(56脚接的HSE),而PLL时钟又有2个来源,即内部高速时钟2分频(HSI/2=4M)和外部高速时钟(HSE)。通常SYSCLK常用PLL倍频而来,当SYSCLK=72M,外部(5-6脚)接8M晶振,经过9倍频即为72M,如果外部使用12M,那只需要6倍频即可得到72M SYSCLK,具体的细节请参考STM32参考手册6.2节(那个时钟树很清晰明了)。

  13、战舰stm32开发板上,32.768K晶振电路的作用?这部分电路有什么作用啊?去掉会有什么影响吗?提供时钟的不是8M晶振那部分时钟电路吗?

  答:建议你看看时钟树,32.768可以做RTC的时钟源。

  14、系统时钟可以由内部时钟RC振荡器、外部时钟、锁相环三者提供,那么设置成内部时钟,是不用外部放置8M晶振了?

  答:可以用内部时钟,不用接外部晶振,只是外部时钟更好一些。

  15、如果不用RTC,最小系统可以去掉一个晶振吗?最近正在自制32的最小系统,用来参加电设比赛的,感觉用不上RTC的功能。请问可以把32.768K的晶振部分去掉,当作普通IO口使用吗?

  答:是的,不过32.768K晶振那两个脚当GPIO用的话,驱动能力会比其它的弱,具体的看手册上有具体说明。

  16、做最小系统版的时候晶振布在底层是否会有影响?

  答:放在底层或者顶层没什么影响,但是晶振最好靠近芯片,晶振下面也最好不要走线。

  17、疑问?对于PCLK1是高速时钟,手册高速我们是不能超过36M,如果配置他为系统时钟,会有哪些影响。我有一份代码一直都是按照系统时钟运行的,所以,我也不清楚会造成什么问题?

  答:系统时钟是HCLK,不是PCLK1,PCLK1是无法设置为系统时钟的。

  18、最近开始画原理图,首先就是最小系统啦,参考战舰开发板、某火开发板、官方的硬件开发使用入门的外部晶振电路,都各不相同,又看了ST的晶体振荡器电路设计指南,还是有些不懂啊。我的理解是调整两个外部电容,使之与晶振的负载电容相等,看看战舰板上是22pF,难道8M晶振的负载电容是10pF?还有并联1M的电阻起什么作用呢?不加限流电阻是因为晶振功耗低?

  答:因为每一种晶振都有各自的特性,所以最好按制造厂商所提供的数值选择外部元器件。

  ①在许可范围内,C1,C2值越低越好。C值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。

  ②工作良好的振荡波形应该是一个漂亮的正弦波,峰峰值应该大于电源电压的70%。

   若峰峰值小于70%,可适当减小OSCI及OSCO管脚上的外接负载电容。

   反之,若峰峰值接近电源电压且振荡波形发生畸变,则可适当增加负载电容。

  例子:若取中心值15pF,则C1,C2各取30pF可得到其串联等效电容值15pF,这个值与晶振内部等效电容接近最好。

  如果要达到8pF(内部电容的),则要选择外部两个电容为15pF。

  通常厂家建议的外接负载电容为10~30pF左右。并且C1,C2使用瓷片电容为佳。

  ③用示波器检测OSCI(Oscillator input)管脚,容易导致振荡器停振,原因是:部分的探头阻抗小不可以直接测试,可以用串电容的方法来进行测试。

  ④当波形出现削峰,畸变时,可增加负载电阻调整(几十K到几百K)。要稳定波形是并联一个1M左右的反馈电阻,电阻使稳定,并加速晶振起振时间。


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