台积电28纳米添新单！円星内嵌闪存IP第3季正式推出

IP开发商円星科技(M31)宣布，将在台积电28纳米嵌入式闪存存储器制程技术(TSMC 28nm Embedded Flash Process) 开发SRAM Compiler IP，此系列IP预计于今年第3季提供客户设计整合使用。

円星董事长林孝平表示，随网络传输频宽不断加大，数据运算与储存需求日增。円星在台积电领先业界的28纳米嵌入式闪存制程开发的IP，除了可缩短设计周期，还能降低SoC功耗并提高效能，可广泛应用于高速的数据处理、电源管理，物联网、车用电子，以及移动通讯等产品的设计上。

台积电设计建构行销事业处资深处长Suk Lee则说，嵌入式闪存存储器技术对于支持智能行动，汽车电子和物联网等广泛应用至关重要。凭借M31与台积电28纳米嵌入式闪存制程技术努力合作开发的IP，将有助于设计人员优化SoC，实现速度，面积和功耗之间的成功平衡。

此次円星科技以台积电28纳米嵌入式闪存存储器制程技术开发的SRAM Compiler IP功能齐全，支援多种节能模式，使用者可依据不同操作状态，切换到当下最佳省电模式，来延长行动元件电池的使用时间，以提供客户更多元的产品运用。基于优异的技术特性，此系列IP可以完全整合在嵌入式闪存存储器制程平台上，预计今年第3季提供知名国际大厂采用。

去年円星也曾发布与台积电合作布局22纳米ULP/ULL技术的全系列IP。据当时円星提供资料，台积电22纳米ULP/ULL技术为28纳米技术优化版本，具有低功耗/低©电和高效能的优势，同时保持高度的成本效益。

円星当时提到，与28HPC+技术相比，台积电22纳米ULP/ULL技术可在相同的运行速度下减少约5%至10%的芯片面积，降低功耗约25%，或在相同功耗下提高15%的效能。此制程技术下开发产品应用将涵盖物联网、GPS、RF、5G等等。