MOSFET、IGBT下半年恐现缺货潮 涨价不可避免！

 金氧半场效电晶体(MOSFET)及绝缘闸双极电晶体(IGBT)等功率半导体下半年恐现缺货潮，IDM厂及IC设计厂均大动作争抢晶圆代工产能，包括茂矽、汉磊、世界先进、新唐等MOSFET或IGBT订单满到年底，第三季已确定涨价，其中6吋晶圆代工价格大涨10～20%，8吋晶圆代工价格亦调涨5～10%。

受惠于MOSFET价格调涨，带动功率半导体晶圆代工涨价效应，茂矽及汉磊股价昨(11)日攻上涨停，世界先进及新唐亦同步大涨。法人表示，MOSFET及IGBT需求强劲，6吋及8吋晶圆代工第三季涨价，将带动业者下半年获利表现。

茂矽近期已发函通知客户涨价，预计7月起依产品别调涨晶圆代工价格15～20%，高单价客户及高售价产品优先投片，6月底未投产完毕的订单退回并请客户重新评估需求，重新来单则适用7月起已调涨后的晶圆代工价格。

据业界消息，茂矽通知至8月底前暂停工程实验及新产品试产，未满25片的非完整批暂缓投片，未满150片的炉管最小片数亦暂时降低生产排货等级，交期将延长。同时，茂矽亦要求客户配合提供EPI硅晶圆且抵达厂内确定时间才开单。

汉磊昨日召开股东常会，董事长徐建华表示，人工智能、汽车电子及电动车、物联网等都带动功率半导体需求，汉磊旗下硅晶圆厂嘉晶产能满到年底，旗下晶圆代工事业同样接单满到年底。汉磊将逐调整产品结构，扩大利基产品量产规模与提高宽能隙产品的比重，希望今年能达全年获利的目标。

虽然徐建华不愿多谈硅晶圆及晶圆代工是否涨价，仅强调涨价要考虑市场及客户关系。但业界指出，EPI硅晶圆今年已确定逐季涨价，加上上游客户积极争取晶圆代工产能，在订单满到年底情况下，预期汉磊5吋及6吋晶圆代工价格下半年将同步涨价1成以上。

再者，新唐及世界先进亦传出调涨第三季晶圆代工价格消息。在MOSFET订单大举涌入情况下，新唐6吋晶圆代工产能自去年满载到现在，目前在手订单也已经排单到年底，第三季价格传出调涨1成消息。