国内将继续扶持存储产业发展

 中国正集中精力发展国内的存储产业，但是与领先水平之间的竞争之路不会平坦(尤其是DRAM)。我们认为存储技术的获得及制造发展是DRAM行业新进入者所面临的主要挑战。 预计新进入者至少需要2-3年时间开发并量产具有领先技术的DRAM。我们认为具有专门应用类DRAM量产的速度较快(例如兆基科技Sino King Tech首先专注于的物联网应用程序类DRAM)。

武汉新芯有望成为中国的存储产业基地，未来将同时掌握DRAM、3D-NAND 和NOR 能力。武汉新芯讲在2016年3月28日开工建设中国第一条12寸DRAM 晶圆厂，投资将达240亿美元，产能规模预计20-30 万片(按照10k 产能，2DNAND-3D NAND约7-9亿美元的投资预估)。

紫光集团持续拓展半导体产业链。紫光集团定增同方国芯(002049,股吧)(002049)，确立NAND闪存平台。虽然紫光终止与WDC的交易，但并没有停止紫光向半导体产业延伸的脚步。紫光集团董事长表示将与TCL合作融资100亿元，用于未来发展，并需找本地合作伙伴。2016年1月紫光集团与厦门市国资委将针对IC设计、封测、制造、网络、大数据及产业并购与金融等领域深度合作，共同签署500亿人民币的基金。近日双方又共同签署设立160亿的“厦门国资紫光联合发展基金”，用以积极扶植半导体行业。

合肥正在建设DRAM 基地，预计2017年下半年开始生产。日本存储公司尔必达(Elpida)前任CEO已经成立兆基科技(Sino King)，将与中国合肥政府展开合作，计划最早于2017年下半年开始量产DRAM。我们认为兆基科技仍处于初创阶段，预计至少需要两年时间才能开发并量产领先技术的IP。

中国计划进入存储行业的受益标的：同方国芯、中芯国际、ASMPacific(推荐)和华虹半导体(中性)。

风险。国内 NAND和DRAM的建设进程慢于预期。