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缩减LED/功率元件测试成本 PXI模组化SMU亮相
LED半导体照明网讯 PXI模组化电源量测单元(SMU)仪器问世。高亮度发光二极体(LED)、绝缘闸双极性电晶体(IGBT)、金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)等需要SMU输出瞬间高瓦数的电源进行量测，然高瓦数的SMU往
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业
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新一代功率半导体掌握多个领域节能关键
最近几年，在半导体之中，原本在人们眼中“不出彩”的功率半导体成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装
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新一代功率半导体掌握着多个领域节能的关键
【导读】作为节能背后的主角，功率半导体如今成为了关注的焦点。功率半导体的作用是转换直流与交流、通过变压等方式高效控制电力，用于充电装置和马达。如今，这种半导体已配备于家电、汽车、工业机械、铁路车辆、输
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政策扶持重点 功率半导体产业进黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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节能技术获支持 功率半导体产业进黄金期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进半导体产业发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业，功率半
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国家释放政策红利 功率半导体产业进入黄金期
LED半导体照明网讯 据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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国家释放政策红利 功率半导体产业进入黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露，有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕，目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉，政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面，尤其是本土自主核心产业龙头企业
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体加速导入 元器件厂商拼杀
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代功率半导体：元件开发竞争激烈，亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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新一代SiC和GaN功率半导体竞争激烈
SiC功率半导体方面，在栅极设有沟道的沟道型MOSFET的开发在2013年大幅加速。以前推出的SiCMOSFET只有平面型，尚未推出沟道型。沟道型MOSFET的导通电阻只有平面型的几分之一，因此可以进一步降低损耗。导通电阻降低后
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21ic新闻大爆炸：新一代功率半导体开发竞争激烈
1、新一代功率半导体开发竞争激烈 亚洲企业纷纷涉足今后在从事GaN功率元件的半导体厂商之间，估计会展开激烈的价格竞争。尤其是韩国、中国大陆和台湾等亚洲半导体厂商全面涉足GaN功率元件业务之后，价格竞争将更为激
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元件开发竞争激烈 亚洲企业纷纷涉足
与现在的Si功率半导体相比，SiC及GaN等新一代功率半导体有望利用逆变器和变流器等大幅提高效率并减小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元件的事例逐渐增加，同时各企业也围绕这些元件展开了激烈的开发竞争。SiC功
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