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国际大厂主导产业，中国功率半导体亟需做强
如果说中央处理器(CPU)是一台计算机的心脏，功率半导体 就是电机的心脏，它可以实现对电能的高效产生、传输、转换、存储和控制。我国发布《中国制造2025》，勾勒出未来十年产业转型升级的整体方向与发展规划，在此过程中，功率半导体发挥的作用不可替代。
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泰克推出Keithley S540功率半导体测试系统
全自动高速晶圆级参数测试解决方案面向最新的功率半导体器件， 包括高达3 kV的SiC和GaN
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英飞凌险胜TI夺得全球十大功率半导体龙头宝座
多年来，英飞凌在分立式功率半导体市场上都位居龙头;在电源模组方面，则于2015年成功超越三菱电机(Mitsubishi Electric)，拿下冠军。至于在电源晶片部分，则是排名第四的供应商。
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贸泽电子与格兰特·今原携手访谈TDK美国总裁暨CEO乔恩·尼尔森
探索功率半导体和被动元器件在未来电源转换应用中扮演的角色
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SiC/GaN功率半导体产值 2020年破10亿美元
市场研究机构IHS最新统计报告指出，随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化矽(SiC)功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采用;与此同时，氮化镓(GaN)功率半
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Litelfuste公司的两种新型的功率半导体产品性能优于传统的开关二极管
非常适合用于高频开关式电源和直流-直流转换器之类的应用
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意法半导体的微控制器和功率半导体获丰田普锐斯采用
意法半导体的芯片与汽车厂商的软件系统相互搭配，实现了高能效的电压转换和低散热特性，进而协助动力控制单元微型化意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;纽约证券交易所
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新一代功率半导体氧化镓：提供外延晶圆
日本风险企业Novel Crystal Technology公司(总部：埼玉县狭山市)于2015年10月开始销售新一代功率半导体材料之一——氧化镓的外延晶圆(β型Ga2O3)。这款晶圆是
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英飞凌先进功率半导体技术助力“中国制造2025”
作为德国政府前瞻性的10个“高科技战略2020”重要组成部分，“工业4.0”的提出备受关注，继德国之后，美国、中国、日本等工业大国也先后提出了向智能制造迈进的行动纲领。 加快从制造大国转向制
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英飞凌与联华电子宣布就汽车应用达成制造协议
21ic讯 英飞凌科技股份有限公司 与联华电子股份有限公司宣布，将其制造合作伙伴关系扩大到汽车应用的功率半导体。在扩大合作伙伴关系之前，联华电子为英飞凌生产逻辑芯片的合作关系已超过 15 年。根据最近签署的协
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Littelfuse推出额定值高达1700V和450A的模块 扩充其IGBT产品
标准和定制解决方案可满足严苛要求Littelfuse公司是全球电路保护领域的领先企业，已扩充其专为电机控制和逆变器应用设计的IGBT模块功率半导体产品。 IGBT功率模块提供广泛
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用于电动汽车的功率半导体模块设计
汽车行业目前正在经历一个重大的技术变革时期，这已经是个不争的事实。过去100多年里，内燃机引擎中都在使用燃油泵和活塞，而现在正在被锂离子电池、逆变器和IGBT所取代
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英飞凌新建功率半导体厂开工 缓解功率器件供货紧张
【导读】英飞凌新建功率半导体厂开工 缓解功率器件供货紧张 “英飞凌科技新建的功率半导体前端工厂新增产能可缩短用户对该类器件的交货周期，并且，我们的生产线能灵活地根据市场需求来调整，生产市场急需的
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英飞凌连3年名列功率半导体全球最大供货商
【导读】英飞凌连3年名列功率半导体全球最大供货商 英国市场研究公司IMS Research最新市场调查发现，2005年全球功率半导体市场仅成长0.6%，达110.35亿美元，英飞凌功率半导体业务营收10.06亿美元，年成长11
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IMS Research：英飞凌再次荣登功率半导体榜首
【导读】IMS Research：英飞凌再次荣登功率半导体榜首 IMS Research最近进行的一项市场调查的初步结果表明，2005年，英飞凌的功率半导体业务增长速度达到11.6%，大大超出了全球市场的平均水平（仅增长0.6%至1
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英飞凌新厂开张功率半导体成主战场
【导读】英飞凌新厂开张功率半导体成主战场 功率半导体市场一直保持比整个半导体产业更稳定及更高的上升率，其需求一直稳步增长，IMS预计未来5年平均年增长率将达6%-8%。市场亦是群雄并起，诸候纷争
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分立功率半导体市场全面复苏
【导读】分立功率半导体市场全面复苏 根据Frost & Sullivan日前发布的全球分立功率半导体市场调查，2005年该市场年收入为104.9亿美元，预计2009年将发展到144.2亿美元。Frost & Sullivan高级研究分析员Bonni
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我国最大的大功率半导体产业基地投产
【导读】随着第一批高压大功率晶闸管正式投产，中国最大的大尺寸功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产，标志着国产大功率半导体器件产业化进程将加速推进。 随着第一批高压大功率晶闸管正式投产，
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瑞萨电子计划上市SiC功率半导体
【导读】瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外，预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因数
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东芝称将在功率半导体投入大量资源登上业界首位的宝座
【导读】据介绍，东芝2011年度在功率半导体方面，对低耐压品和高耐压品，均将采用新的元器件构造，以制造电力转换效率高的产品。例如，低耐压MOSFET将把原来的“UMOS型”改为新构造，而高耐压MOS FET将导入具有东芝自
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