当今世界,设计师们似乎永远不停地在追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力,这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控制器和新的宽禁带技术。
当今世界,设计师们似乎永远不停地在追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力,这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控
EPC公司的全新开发板可以被配置为一个降压转换器或ZVS D类放大器,展示出基于eGaN FET、采用同步自举电路的栅极驱动器在高频工作时可以减少损耗。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器,可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。目标应用包
近日,德州仪器 (TI) 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。UCC27714高侧、低侧驱动器具有4A源电流和4A灌电流的处理能力,能够将组件占板面积减少50%,从而可在应用于服务器、电信和不间断电源等工业设计所使用的高频、离线AC/DC电源中实现更高的功率密度。
21ic讯 Allegro MicroSystems, LLC 宣布推出能与 N 沟道外部电源 MOSFET 连用的新型全桥式控制器,它是专门为汽车应用而设计的。Allegro A5929 具有独特的电荷泵稳压器,它
日前,德州仪器(TI)宣布推出一款集成式栅极驱动器,该器件提供了可调节的栅极驱动设置,可在更为宽泛的范围内,灵活的驱动外部场效应晶体管(FET),从而支持多种电机,以及各
21ic电源网讯 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对1A额定值的40V紧凑型栅极驱动器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率
东芝公司旗下半导体&存储产品公司今天宣布,推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的
21ic讯 Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)近日宣布推出两款三相无刷直流(BLDC)电机栅极驱动器——MCP8025和MCP8026(MCP8025/6)。集成了电源模块、LIN收发器和休眠模式,是完整电机系统解决方案
21ic讯 日前,德州仪器 (TI) 宣布推出 6 款具有业界最短传播延迟(不足 15 纳秒)的 AEC-Q100 认证栅极驱动器。与现有解决方案相比,该 UCC275xx-Q1 系列单路及双路栅极驱动器可提供最高的电源效率、可靠性与灵活性,
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)综合了BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。在今天的电力电子领域中,IGBT已经得到广泛的应用。而在实际使用中除IGBT自身外,IGBT 驱动器的
21ic讯 凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5,该器件能以高达 80V 的输入电压工作,在高达 100V 瞬态时
内燃机(ICE)、混合动力汽车以及电动汽车继续推动新型功率半导体支持技术的发展。低压和高压应用中的功率器件需要以逐渐增加的频率运行、具有更强的抗干扰能力和更高的效率。
引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电
Silicon Labs (芯科实验室有限公司)日前宣布推出业界首款基于CMOS工艺的数字解决方案,可直接替换光电耦合隔离式栅极驱动器(简称光电耦合驱动器)。新型Si826x隔离式栅极驱动器支持高达5kV隔离等级和10kV浪涌保护,其
引言对电能转换而言,可再生能源电子细分市场是一个复杂且多样化的竞技场。在一些负载点应用中,开关型功率转换器通常为非隔离式,功率水平相当低(<200 W),并且常常会把电
器件提供关键保护功能以及出色的共模瞬态抑制性能对于目前的高功耗工业应用,设计人员传统上对IGBT驱动器使用分立器件,导致整体设计复杂性和系统成本大大提高。 为了帮助设
宜普电源转换公司(EPC)宣布推出采用增强型氮化镓场效应晶体管的EPC9003及EPC9006开发板, 展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转用氮化镓技术
日前,德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器,其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。该 UC