飞兆半导体的智能型栅极驱动器光电耦合器可简化设计提高可靠性和降低系统成本

器件提供关键保护功能以及出色的共模瞬态抑制性能

对于目前的高功耗工业应用，设计人员传统上对IGBT驱动器使用分立器件，导致整体设计复杂性和系统成本大大提高。 为了帮助设计人员克服这一缺点，飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器。 该器件是一个先进2.5A的输出电流IGBT驱动光电耦合器，可驱动大部分1200V/150A IGBT。

FOD8318它包含采用低RDS(ON) CMOS晶体管以进行IGBT轨到轨驱动的集成式栅极驱动光电耦合器，以及用于故障检测的集成式高速隔离反馈。 它提供有源米勒箝位功能，可在高dv/dt状态期间关断IGBT，而无需负电源电压。 这样可以简化设计，提高可靠性。 此外，FOD8318还提供防止出现故障状态所需的关键保护功能，这些状态会导致IGBT的破坏性热失控。

此器件特别适合驱动快速开关功率IGBT和MOSFET，适用于电机驱动器、工业转换器、太阳能电源反相器、不间断电源 (UPS)、 感应加热和隔离式IGBT驱动器等应用。

主要功能：

· 有源米勒箝位功能可消除负电源电压

· 内置 IGBT 保护功能

o 去饱和检测

o IGBT软断开

o 针对IGBT进行优化的欠压闭锁(UVLO)

· CMR专有的高抗噪性能： 35kV/µsec @Vcm-1500Vpeak

· 3.3V/5V，CMOS/TTL逻辑输入

· 轨至轨宽幅输出电压范围，以实现低功耗

· 安全和法规认证

o UL1577，4,243VRMS 持续1分钟。

o DIN-EN/IEC60747-5-5，1,414V峰值工作电压，8,000V峰值瞬态额定隔离

电压

FOD8318是飞兆全面的高性能光耦合器、 电源管理IC、高电压栅极驱动器、分立功率IGBT/MOSFET产品组合的一部分，通过此类解决方案，客户能够实施设计创新。 FOD8318采用专有 Optoplanar®共面封装技术，具有高抗扰度。 Optoplanar技术确保了0.4毫米以上的安全隔离厚度、8毫米爬电和间隙距离，从而获得了通过UL1577和DIN EN/IEC60747-5-5标准认证的可靠高压隔离。

封装和报价信息(订购 1,000 个，美元)

按请求提供样品。交货期：收到订单后 8-12 周内

该器件采用16引脚小尺寸塑料封装，价格为：

FOD8318: $3.80

FOD8318V: $3.82