东芝推出汽车用单通道高边N沟道功率MOSFET栅极驱动器

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东芝公司旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器“TPD7104F”。新产品是一个适用于电荷泵的一体化电路，与东芝的传统产品相比，工作电压更低[1]，为VDD(opr)= 5至18V。即日起可供货。

新产品主要规格

· BiCD 0.13μm工艺

· 供电电压：VDD(opr)=5至18V

· 内置过流保护功能

· 内置过流诊断功能

· 输出电压

VOUT=VDD + 8V(最低值)@VDD=5V，IOUT=-100µA，Tj=-40至125°C

VOUT=VDD + 10V(最低值)@VDD=8至18V，IOUT=-100µA，Tj=-40至125°C

· 小型封装: PS-8(2.8mm × 2.9mm)

应用

适用于汽车应用，驱动12V蓄电池所使用的高边N沟道MOSFET，包括用于怠速停止系统和电动助力转向系统(EPS)的半导体继电器和半导体负载开关。

· 注1：与“TPD7102F”(VDD=7至18V)相比