CMOS与HTL的互接口电路b
CMOS与HTL的互接口电路a
TTL与CMOS的接口电路b
TTL与CMOS的接口电路a
CMOS与开关放大器的接口电路c
CMOS与开关放大器的接口电路b
CMOS与开关放大器的接口电路a
AC-SSR应用电路d
AC-SSR应用电路c
AC-SSR应用电路b
AC-SSR应用电路a
这是产业界第一个可重构射频前端,将促成单一平台设计并支持TDD-LTE网络北京-电子设计创新会议(EDI CON 2014)─ 2014年4月9日─ Peregrine半导体公司(纳斯达克股票代码:PSMI )是射频SOI(绝缘体上硅)技术的创
Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系统解决方案,它采用Peregrine的130纳米RF-SOI工艺技术的UItraCMOS 10工艺技术平台。这是业界又一次对GaAs RF器件提出了挑战。 Global 1集成了三通道多模多频段功
Peregrine半导体公司在电子设计创新会议(EDI CON 2014)上,宣布UltraCMOS Global1在大中华地区首次亮相。UltraCMOS Global 1是行业中第一个可重构射频前端( RFFE )系统。由于在一块芯片上集成了射频前端(RFFE)的所
在无线射频接收机中,射频信号要经过诸如滤波器、低噪声放大器及中频放大器等单元模块进行传输。由于每个单元都有固有噪声,从而造成输出信噪比变差。采用多级级联的系统
中科汉天下致力于无线通信芯片及射频前端芯片的研发。日前,该公司推出了国内首颗可大规模量产并具有完全自主知识产权的CMOS GSM射频前端芯片—HS8269。 HS8269采用标准CMOS工艺,将全部电路(射频功率放大器、
全空乏绝缘上覆矽(Fully depleted silicon-on-insulator,FD SOI)是 28奈米与 20奈米半导体制程节点的最佳解决方案,主要原因是该技术与块状CMOS制程技术相比,其成本与泄漏电流较低,性能表现则更高。 同样是100mm
封测台厂持续布局3D IC。智慧型手机用CMOS影像感测元件,可率先采用3D IC技术,预估到2016年,整合应用处理器和记忆体的3DIC技术,有机会量产。 媒体日前报导记忆体大厂美光(Micron)为布局3D IC技术,计划透过华亚
在历史上,半导体产业的成长仰赖制程节点每一次微缩所带来的电晶体成本下降;但下一代晶片恐怕不会再伴随着成本下降,这将会是半导体产业近20~30年来面临的最严重挑战。 具体来说,新一代的20奈米块状高介电金属闸极
日本家电巨擘Sony从2008~2011会计年度(2008/4~20012/3),最终损益连续4年亏损,2012会计年度虽转亏为盈,但2013会计年度估计又为亏损,主因为本业的家电事业持续亏损。因此英美的投资机构,均将Sony的债券列为垃圾级