[导读]封测台厂持续布局3D IC。智慧型手机用CMOS影像感测元件,可率先采用3D IC技术,预估到2016年,整合应用处理器和记忆体的3DIC技术,有机会量产。
媒体日前报导记忆体大厂美光(Micron)为布局3D IC技术,计划透过华亚
封测台厂持续布局3D IC。智慧型手机用CMOS影像感测元件,可率先采用3D IC技术,预估到2016年,整合应用处理器和记忆体的3DIC技术,有机会量产。
媒体日前报导记忆体大厂美光(Micron)为布局3D IC技术,计划透过华亚科结合封测大厂日月光,在台合资设立3D IC封测厂。尽管日月光否认合资传闻,但半导体大厂和封测大厂布局3D IC的脚步,并未因此减缓。
随着物联网(IoT)和云端世界逐渐成熟,加上智慧型手机和平板电脑持续成长,内建晶片和记忆体更讲究微型化、高效能和低功耗的系统整合设计,封装技术也需因应相关趋势,因此半导体产业链持续研发3D IC技术。
国外半导体大厂包括艾克尔(Amkor)、意法半导体(STM)、三星电子(Samsung)、美光(Micron)、格罗方德(GLOBALFOUNDRIES)、IBM、英特尔(Intel)等,持续积极布局3D IC技术。
市场评估,3D IC技术会先在智慧型手机领域萌芽,包括整合逻辑IC和记忆体的手机应用处理器(application processor)、高阶伺服器的绘图处理器整合记忆体、或是手机相机镜头内的CMOS影像感测元件等,都将陆续采用3D IC技术。
CMOS影像感测元件有机会率先采用3D IC技术。工研院产经中心(IEK)产业分析师陈玲君表示,今年全球行动通讯大会(MWC)上、主要品牌大厂展示高阶旗舰智慧型手机产品,其中照相镜头多数采用索尼(SONY)的背照式(BSI)CMOS影像感测元件,相关元件可带动3D IC封装。
整合逻辑IC和记忆体的应用处理器,应该会直接采用3D IC和矽穿孔(TSV)制程,以解决行动装置记忆体频宽、因应智慧型手机应用处理器效能提高的问题。
3D IC技术也可改善记忆体产品的性能表现与可靠度,并降低成本与缩小产品尺寸。
陈玲君预估,整合应用处理器和记忆体的3D IC技术,有机会在2016年开始量产。
台厂包括台积电、日月光、矽品、力成等,也持续布局3D IC。
陈玲君指出,力成湖口新厂,设立3D IC研发中心,锁定CMOS影像感测元件(CIS)应用。矽品开发的3D IC技术,将应用在逻辑IC产品。
观察台厂布局3D IC进展,产业人士认为,3D IC主导权还是会在晶圆代工厂台积电,因为3D IC矽穿孔技术,牵涉到晶圆前端制程。不过晶圆代工厂不会全吃3DIC,封测厂切入3D IC领域,与晶圆代工厂是上下游合作的关系。
3D IC应用若需进一步成熟,仍有不少面向尚待克服,包括记忆体堆叠、设计生态系统、生产良率、测试方法、散热解决方案、以及关键的降低BOM表(Bill of Material)成本等因素。
从产业链来看,半导体晶圆代工、专业封装测试代工(OSAT)、模组生产测试到系统组装,前后生产链之间已经相互重叠,研发3D IC,产业链势必要彼此合作共生
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