Peregrine：CMOS将打破GaAs在RF的地位

Peregrine最新推出了一款UItraCMOS Global 1全集成系统解决方案，它采用Peregrine的130纳米RF-SOI工艺技术的UItraCMOS 10工艺技术平台。这是业界又一次对GaAs RF器件提出了挑战。 Global 1集成了三通道多模多频段功放(MMMB PA)模块，PA切换开关模块，天线切换开关模块和天线调谐模块。支持保罗跟踪技术，还包含通用的RFFE MIPI控制接口。

随着TDD-LTE在中国的不断展开，支持使用率越来越高的2.3—2.7GHz频率范围内的多个频带的需求在不断增长。在全球其他地区，这一频率范围内的使用频带数量也在不断增长。而Global 1的纯PA性能已经可以和砷化镓工艺技术想媲美了。在不包括通过ET or DPD技术带来的性能改善的话，Global 1的性能也比同类CMOS PA高出10%。

除此之外，这款解决方案对LTE的支持也达到了和砷化镓技术同样的水平。Global 1可以支持高端的移动智能终端，它可以根据模式优化的PA性能消除其他影响因素。

不光如此，Global 1还强化了可配置功率的概念。它对频段和模式可配置的操作方法改善了射频性能并且达到传统砷化镓工艺技术的水平。通过自动调谐的优化方法家督了项目设计规划。Global 1使得设计一款可全球范围内使用的4G LTE移动终端成为可能，并且性能上也进行了不小的突破。

随着智能终端设计时间缩短，但需要支持的频率越来越多。所以业界面临的挑战：一款可以全球范围内使用的移动终端，做到这点的一个重要部分就是射频前端。一部移动终端对射频前端的要求有以下几点，首先它可以支持更多频段的可扩展性;其次要拥有可调谐的能力并且保证高隔离性能，可以解决多通路同时使用时带来的问题;另外，对所有支持的模式和频段的切换，只需要相对简单的调整并且能达到优异的性能;最后还需要具备有竞争力的功放性能。但是仅凭砷化镓技术的话肯定达不到这样的需求，但是CMOS却可以，需要采用CMOS工艺技术的可配置能力来动态配置不同的前端，唯一可行的解决方案的工艺技术选择就是RF SOI。迄今为止，虽然CMOS在功放市场中的份额还小于GaAs，目前的CMOS PA仍然难以在成本和性能间取得平衡，CMOS PA既达不到砷化镓功放的性能，成本优势也并非绝对。但是，即使在基于GaAs和LDMOS RF功率元件的主流PA模块领域，供应商也在增加CMOS辅助芯片，不少GaAS大厂也纷纷收购CMOS PA公司做好技术储备，这可能导致单片CMOS或SiGe-BiCMOS解决方案取代全部PA前端。再加上MEMS可调谐元件等新型技术，这种转变正在加速。