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首页 > TAG信息列表 > MOS管
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MOS管功率损耗竟然还可以这么测
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢...
2018-05-18 17:07:17 关键字：
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mos管开关电路图
图中电池的正电通过开关S1接到场效应管Q1的2脚源极，由于Q1是一个P沟道管，它的1脚栅极通过R20电阻提供一个正电位电压，所以不能通电，电压不能继续通过，3v稳压IC输入脚得不到电压所以就不能工作不开机!
...2018-03-12 16:48:50 关键字：
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电路设计中三极管和mos管的区别
实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管...
2017-11-22 15:25:10 关键字：
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MOS管功率损耗竟然还可以这么测
MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?...
2017-11-16 11:21:35 关键字：
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由MOS管、变压器搭建的逆变器电路及其制作过程
逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡及输出回...
2017-11-13 10:49:51 关键字：
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如何确保MOS管工作在安全区
电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。...
2017-10-26 11:57:48 关键字：
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模拟运放分类以及特点
模拟运算放大器从诞生至今，已有40多年的历史了。最早的工艺是采用硅NPN工艺，后来改进为硅NPN-PNP工艺(后面称为标准硅工艺)。在结型场效应管技术成熟后，又进一步的加入了结型场效应管工艺。当MOS管技术成熟后，特别是CMOS技术成熟后，模拟运算放大器有了质的飞跃，一方面解决了低功耗的问题，另一方面通过混合模拟与数字电路技术，解决了直流小信号直接处理的难题。...
2017-02-27 16:43:35 关键字：
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N沟道增强型MOS管双向低频开关电路
【电路】 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用
(原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg)
如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。
双向传输原理：...2015-06-17 11:30:09 关键字：
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详细讲解MOS管驱动电路
在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS管的导通电阻、最大电压、最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允...
2014-11-18 13:58:08 关键字：
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MOS管及简单CMOS逻辑门电路原理图
现代单片机主要是采用CMOS工艺制成的。1、MOS管 MOS管又分为两种类型：N型和P型。如下图所示：以N型管为例，2端为控制端，称为“栅极”;3端通常接地，称为“源极”;源极电压记作Vss，1端接正电压...
2014-05-30 15:07:32 关键字：
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MOS管击穿原因和防护措施！
MOS管为什么会被静电击穿?静电击穿是指击穿MOS管G极的那层绝缘层吗?击穿就一定短路了吗?JFET管静电击穿又是怎么回事?MOS管一个ESD敏感器件，它本身的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，所以极易受外界电磁场或...
2014-01-07 18:19:52 关键字：
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N沟道增强型MOS管双向低频开关电路
MOS-N 场效应管 双向电平转换电路 -- 适用于低频信号电平转换的简单应用(原文件名:MOS-N 场效应管 双向电平转换电路.jpg)如上图所示，是 MOS-N 场效应管 双向电平转换电路。双向传输原理：为了方便讲述，定义 3.3V 为...
2013-10-23 14:18:54 关键字：
