MOSFET开关管损失了解吗？限制MOSFET开关速度的因素有哪些

今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。

一、MOSFET开关管损失

使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，大部分人都会考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等，也有很多人仅仅考虑这些因素。这样的电路也许是可以工作的，但并不是优秀的，作为正式的产品设计也是不允许的。

不管是NMOS还是PMOS，导通后都有导通电阻存在，因而在DS间流过电流的同时，两端还会有电压（如2SK3418特性图所示），这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。

MOS在导通和截止的时候，一定不是在瞬间完成的。MOS两端的电压有一个下降的过程，流过的电流有一个上升的过程，在这段时间内，MOS管的损失是电压和电流的乘积，叫做开关损失。通常开关损失比导通损失大得多，而且开关频率越快，损失也越大。

导通瞬间电压和电流的乘积很大，造成的损失也就很大。降低开关时间，可以减小每次导通时的损失；降低开关频率，可以减小单位时间内的开关次数。这两种办法都可以减小开关损失。

二、限制MOSFET开关速度的因素有哪些

当我们需要MOSFET有更高的开关速度，更小的损耗时，限制MOSFET的开关速度有哪些因素在作怪呢？

1、MOSFET的G极驱动电阻引起的延时

2、PCB Layout引起的寄生电感影响驱动电流

3、MOSFET封装本身引起的ESR与ESL

4、MOSFET的米勒效应

但是MOSFET开关频率越高，EMC越难处理。频率一高，LAYOUT就要注意。D也要加磁珠了。

1.驱动电阻可以反并二极管

2.增大驱动电阻，EMC会表现稍好一点。这个是经过验证了的。

3.驱动电流不是问题，现在就3842那么老的都有1A。专业芯片就更不用说了。

4.自己做驱动电路用变压器其实很简单的。也很便宜。老板也会很高兴。

5.MOSFET本身的结电容啥的那是没得改了，出厂的时候就定下来了。只有认命了，要不就换大厂牌的，但是价格又上去了。这里面需要权衡。谁都想用RDS小的COOLMOS啊。有时候却要考虑成本。其实用COOLMOS可以适当减小发热，散热器减小，效率提高，也可以省一点成本的。

6.米勒电容，没办法啊。

7.LAYOUT的时候尽量走短一点。如果是铝基板散热就很好兼顾这点。如果是用散热片，从变压器,PWM IC到主MOSFET还是有一段距离的，频率一两百K看不出来，但是频率几百K的时候就郁闷了。

高压功率器件速度越来越快，最早的SCR/BJT速度是大约4~20微秒开关速度；后来BJT/IGBT提高到150纳秒左右，现在实际可以达到8纳秒水平。在不久将来；会达到1纳秒左右。

驱动要求也越来越高；仅以驱动线长为例，早期的驱动线没啥特别要求；只要双绞就基本够用了。后来的高速IGBT/FET的栅线；除双绞外；长度被限制在10CM以内。从现在的测试看；要求未来的高速器件的驱动线被限制在1CM以内。

以上便是小编此次带来的有关MOSFET的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦。