本文针对皮卫星电源系统的特点开发了一套智能化、高效率的数字化电源系统,其智能化设计主要体现在:通过多种测量电路对电源系统各关键节点的电压、电流等重要信号进行实时采集、处理与分析,随时掌握电源系统的能量
本文针对皮卫星电源系统的特点开发了一套智能化、高效率的数字化电源系统,其智能化设计主要体现在:通过多种测量电路对电源系统各关键节点的电压、电流等重要信号进行实时采集、处理与分析,随时掌握电源系统的能量
21ic讯 美国国家半导体公司(NS)宣布推出业界首款内置全部4个初级端桥接MOSFET门极驱动器的全桥脉冲调制(PWM)控制器。这两款型号分别为LM5045及LM5046的控制器芯片可以提高1/4及1/8砖电源模块的效率和功率密度,其
全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在3月15至17日于上海新国际博览中心举行的electronica China 2011展会上,展示超过20款用于高能效电子应用的创新解决方案,展台编
瑞萨电子计划上市SiC(碳化硅)功率半导体。耐压600V的SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)“RJS6005TDPP”将从2011年3 月底开始样品供货。除了空调等白色家电外,预计还可用于通信基站和服务器等配备的PFC(功率因
意法合资的意法半导体(STMicroelectronics)上市了小型LED灯泡用驱动IC“HVLED805”。该IC用在反激型绝缘AC-DC转换器的一次侧,在一个芯片上集成了PWM控制IC和+800V耐压的功率MOSFET。无需使用电流检测电阻便可检测出
全球功率半导体和管理方案厂商国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)宣布将携行业领先的节能电源管理解决方案参展第十六届国际集成电路研讨会暨展览会(IIC-China 2011)。 IR的工程师和
2011年1月19日,英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS? 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS? 晶体管技术不断优化,这为取得成功
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主. 功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来
常用的是NMOS.原因是导通电阻小,应用较为广泛,也符合LED驱动设计要求.所以开关电源和LED恒流驱动的应用中,一般都用NMOS.下面的介绍中,也多以NMOS为主. 功率MOSFET的开关特性:MOSFET功率场效应晶体管是用栅极电压来
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 LTC4444/-5 的 H 级版本,该器件是一款高速、高输入电源电压 (100V)、同步 MOSFET 栅极驱动器,为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设
摘要:介绍Sanken公司的混合型开关电源ICSTR?F6600系列的原理和应用,作为实例,介绍了使用STR?F6656设计一个34″彩电用的开关电源,并给出满意的实验结果。1引言 混合型电源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠
英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构,使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化,这为取得成功奠
摘要:介绍Sanken公司的混合型开关电源ICSTR?F6600系列的原理和应用,作为实例,介绍了使用STR?F6656设计一个34″彩电用的开关电源,并给出满意的实验结果。1引言 混合型电源ICSTR?F6600系列是日本Sanken
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)将在2月24日至26日举行的IIC China 2011展会上,展示其最新的功率技术和便携技术,公司展台位于深圳会展中心2号展馆2J19展台。 飞兆半导体华南地区销售总监蓝仕伟表示:
国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出车用平面 MOSFET 系列,适用于内燃机 (ICE) 、混合动力和全电动汽车平台的多种应用。新器件系列采用了 IR 经过验证的平面技术,包括 55V 和 150V 标准栅极驱动
摘要:升压变换器通常应用在彩色监视器中。为提高开关电源的效率,设计者必须选择低开关损耗的MOSFET。在升压变换器中,利用QFET新型MOSFET能够有效地减少系统损耗。1引言 在开关电源设计中,效率是一个关键性的参