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英飞凌第35亿颗高压MOSFET顺利下线

时间：2011-02-13 20:44:52

关键字： MOSFET 高压英飞凌 AD

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[导读]英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化，这为取得成功奠

英飞凌位于奥地利菲拉赫工厂生产的第35亿颗CoolMOS™ 高压MOSFET顺利下线。这使英飞凌成为全球最成功的500V至900V晶体管供应商。通过不断改进芯片架构，使得CoolMOS™ 晶体管技术不断优化，这为取得成功奠定了坚实基础。

在晶体管问世55年后，英飞凌于2002年凭借突破性的CoolMOS™ 晶体管技术，喜获“德国工业创新奖”。这种高压功率晶体管提升了一系列产品的能效，例如PC电源、服务器、太阳能逆变器、照明设备与通信电源设备等。而且这些节能晶体管如今还是各种消费类电子产品的核心器件，例如平板电视和游戏机等。当前所有电力工业设备和家用电器的都将高能效和节能做为主要性能指标。采用英飞凌的高能效半导体解决方案可使全球节省25%的能耗。例如，通过选用CoolMOS™产品，服务器电路板的功耗可减少约30W。全球服务器若按约6,000万台计算，共计可节电18亿瓦，这相当于一座核电站的发电量。

英飞凌副总裁兼电源管理与供应分立式器件业务总经理Andreas Urschitz指出：“我们坚持不懈地提升CoolMOS™ 晶体管技术，确保能效达到最优，使客户具备强有力的竞争优势。我们为实现资源利用可持续利用做出了巨大的贡献，此举造福子孙后代。台湾高雄足球场的太阳能发电系统就是采用我们CoolMOS™ 技术的很成功例子。太阳能逆变器选用CoolMOS™芯片，可确保最高的能效。该太阳能发电站的年发电量可达110万千瓦小时，并年均减少约660吨的碳排放。”

代表最新技术的650V CoolMOS™ CFD2
英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS™ MOSFET。这种全新的650V CoolMOS™ CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。较软的换向性能带来更出色的抗电磁干扰特性，从而使该器件竞争力首屈一指。CoolMOS™ CFD 2 650V产品具备快速开关超结结构MOSFET的所有优点，例如更高的轻载效率、更低的栅极电荷、方便的使用和出色的可靠性。英飞凌预计这种晶体管的最大潜在市场主要集中在太阳能逆变器、电脑服务器、LED照明和通信设备等领域。

英飞凌的CoolMOS™ 技术
革命性的CoolMOS™ 功率晶体管系列在能效方面树立了行业新标杆。作为高压MOSFET技术的领导者，CoolMOS™ 可大幅降低导通和开关损耗，确保高端电源转换系统实现高功率密度和高能效。针对应用专门优化的CoolMOS™器件适用于消费类产品、可再生能源、通信电源、适配器和其他产品。凭借其出类拔萃的性价比，CoolMOS™ 成为满足目前不断攀升的能源需求的理想之选。尤其是最新的，代表最高技术含量的高压功率MOSFET使交流/直流电源系统更高效、更紧凑、更轻更凉。这种高压MOSFET之所以取得这样的成功，得益于其每种封装上具备最低的通态电阻、最快的开关速度和最低的栅极驱动需求。