FRAM、NRAM、ReRAM！富士通实力证明自家存储技术

 在高性能的应用，如智能汽车、小型的医疗设备这个领域，需要高性能、高耐久性的电子系统，它的存储技术未来会是什么样的选择方向和创新趋势呢?2018年4月11日，在第七届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2018产业和技术展望研讨会上，富士通电子元器件产品管理部总监冯逸新以“富士通非易失性存储器，是高性能和高耐久性设计要求的应用电子系统的理想解决方案”为主题，跟我们分享了富士通的存储技术。

目前，富士通主要有三大类存储器FRAM、NRAM、ReRAM。三类存储器都有各自的定位：FRAM用于数据记录;NRAM用于数据记录和电码储存，还可替代NOR Flash;ReRAM可替代大容量EEPRPM。

冯逸新提到，FRAM有三大优势，一是高读写入耐久性，写的次数比较多。二是高速写入，因为写入可以跟纳米秒的速度相比。三是低功耗，一般在NOR Flash写和擦的时候需要一个升降电路，FRAM不需要，所以是低功耗。

富士通的FRAM产品有三大主要目标市场：汽车电子系统、智能表计系统、物联网。其中，车规级FRAM，是满足汽车电子可靠性和无迟延要求的最佳存储器选择。如用在车载信息娱乐系统中，可以实时和连续记录当前模式，操作履历和GPS data等当前数据;用在电池管理系统(BMS)中，以每秒或每0.1秒去记录电池单元得电压、温度和电流等当前数据，监控电池的短期和长期的性能状态。“在汽车上的市场将是巨大的，中国的一些客户已经开始使用SPI 256Kbit 和I2C 256Kbit的FRAM。中国政府计划在2020年以前普及新能源汽车到500万辆，另外主要国家(法国，印度，挪威和丹麦陆续发表减少燃油汽车，大力发展新能源汽车。”冯逸新说到。

智能表计系统上，FRAM能够实时储存通信历史数据。富士通全球FRAM存储器销量在2016年就已经超过33亿片，其中面向世界电表客户累计交货4000万片。包括中国在内世界主要的电表制造商都是FRAM产品的忠实拥趸，特别是三相电表中FRAM的应用渗透率非常高。

目前针对物联网应用的无线无电池的市场需求，富士通也在研发无线供电的低功耗嵌入式RFID芯片。FRAM应用于RFID有以下几个特点：一是耐辐射性，在强辐射的照射下数据仍然可以安全存储;二是低功耗和外部元器件供电，在不稳定电源或者不需要电源状态下，仍然可以实现高可靠的读写应用;三是快速读写能力，提高标签的读写吞吐量提高效率。还有，大容量可以满足大量数据的存储，同等的读写距离使应用更方便。

“另外，富士通和松下合作开发了ReRAM，松下负责制造，一部分REROM松下自己做，FRAM我们做，通过化学氧化反应，使里面的电阻最高、最低值两个来定点计数据。第一代产品已经出来了，主要用在助听器上。”冯逸新说到。

NRAM是基于碳纳米管(Carbon Nano Tube)的非易失性存储器，富士通已从美国Nantero公司取得了NRAM的设计，生产和销售的许可。它的技术特点一是读写的速度比较快，读写耐久性比NOR Flash高于1000倍;二是高可靠性，一般80度可以存储数据达到1000年，一般300度时可达10年;还有耐高温、低功耗性，待机模式的功耗接近于零，还有无限的扩张性。

NRAM的价值在于它可以应用在任何系统，不但可以做数据存储，也可以做程序存储，可以实现即开即用。