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台湾开发出9纳米超节能内存 预计5到10年内量产
时间：2010-12-20 09:11:28
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[导读]据香港中通社报道，台湾“国研院”纳米（台称“奈米”）组件实验室领先全球，开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞；这个新内存在几乎不需耗电的情况下，1平方厘米面积内可储存
据香港中通社报道，台湾“国研院”纳米（台称“奈米”）组件实验室领先全球，开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞；这个新内存在几乎不需耗电的情况下，1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据，将让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性，这项技术预计在5到10年内进入量产。
台湾“国研院”院长陈文华，以及负责“9纳米超节能内存”开发的何家骅博士12月14日召开记者会，公布这项重大研究成果。
何家骅指出，随着可携式3C产品对体积越来越小以及容量越来越大的需求日益增加，如何能研发出体积更小、记忆量更大的内存，是全球研究人员努力的目标。
如今台湾开发出最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞，容量比现在的闪存增大20倍，但耗电量却降低了200倍，应用这个技术在1平方厘米面积下，可以储存1个图书馆的文字数据，而且可再借立体堆栈设计，进一步提升容量，让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性。
这项重要开发成果已于12月8日在美国旧金山举行的国际电子组件会议(IEDM)正式发表，引起国际微电子产学研界高度重视。
何家骅预料，这项新技术5到10年内量产，届时将可对全球新台币1兆元的传统闪存产生重大贡献，也希望这项技术能在2025年时有机会协助台湾于全球闪存的市场占有率提升至10%以上的产值。
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