内存产业高点已过，供过于求将持续至明年年底

根据CINNO Research对内存供应商及其上下游供应链调查显示，这波历时最久，从2016年第二季开始以来DRAM供不应求、价格上涨的产业大多头荣景，确定要画下句号。虽然第三季财务报告中，三星、海力士和美光这三大DRAM巨头的平均销售单价季增幅度维持在-1%至1%左右，出货量也约较第二季成长10%，使得第三季DRAM产值还能较第二季再成长将近9%，但成长幅度已是近八个季度以来的第二个低点，也是近三年来在第三季度旺季期间表现最差的一次(2016年第三季与2017年第三季的单季DRAM产值成长幅度分别为17%与18%)。

从竞争态势来看，排名并没有出现较大的变动，前五名的业者囊括了将近99%的市场份额，其中三星较为积极的价格策略和产品组合调整使其市占率小幅增加至45%外，其他厂商几乎维持相同的市场份额，而利润上来看，三星、海力士与美光的内存产品毛利率依旧维持在接近70%的水平，可谓持续赚的盆满钵满，也累积了后续面对即将到来的坏日子的充足粮食。未来内存环境的考验将在DRAM与NAND Flash两种主要产品的供需当中找寻平衡点，也因此我们认为同时拥有DRAM与NAND甚至可以扩展至NOR Flash以及其他新应用内存产品的厂商将有更多的战略纵身来面对未来的挑战。

展望后市，内存从第四季正式宣告进入供过于求的空头循环，虽然内存厂商对于明年的资本支出以及扩产计划因总体经济的影响开始出现下修或是递延的保守态势，但在过去这一两年半导体热潮所带动厂商重复下单(Over-Booking)的现象过于严重，以致于从今年第二季后半导体业库存调整的情况开始发酵，也影响到了内存产业;而自第三季起中美贸易战影响终端需求有更为严峻的考验下，内存的需求成长出现了停滞，因此短期内受到英特尔CPU缺货影响个人计算机在农历年前的销售固然是要素之一。但长期而言，智能型手机与PC的成长开始趋缓甚至停滞，以及过去服务器数据中心高度强劲成长的态势不在才是影响长期DRAM需求趋缓的最主要原因，而讨论热度很高的自动驾驶汽车、AI人工智能和物联网虽然看起来成长潜力高，但在未来三年内的内存消耗量对于市场的影响性依然偏低，这也是是我们认为内存产业在经过过去两年的荣景之后，未来两年内恐将面临由外部环境所带动一系列冲击内存厂商运营的考验开始。而考虑到供给与需求的影响，我们认为明年整体DRAM平均销售单价年跌幅可能超过25%以上。