前不久美国总统访问了日本,商讨了半导体方面的合作,传闻两国将联手研发新一代芯片工艺,包括2nm及以下的先进工艺,目的是摆脱对台积电的依赖,而台积电也在日前的股东会议上表示他们并不担心被超越。
芯片制造企业中,台积电的技术最为先进,根据台积电发布的消息可知,其计划今年下半年量产3nm芯片,2023年量产N4X工艺的芯片,2024年量产2nm芯片。由于全球缺芯,再加上台积电芯片制造技术先进,其近年来的可以说是高速增长。
我国是世界芯片消耗大国,芯片领域的风吹草动,都会引起许多国人的关注。而近几年备受关注的事情,无疑是台积电赴美建厂。
美国和日本关系确实铁,不仅在军事和外交上铁,在科技领域上也是一样。譬如,在5G射频芯片领域,美日就是行业内的领头羊,主导先进技术,并通过技术垄断让华为至今都装不上5G射频芯片,吃相固然难看,但也足见美日在技术上的先进性
台积电已经多次明确,3nm将在下半年规模投产。
4月21日消息,据台湾媒体报道,晶圆代工龙头台积电位于台湾竹科宝山二期的2nm晶圆厂Fab 20建厂计划已正式启动。这意味着芯片将步入2nm时代了吗?
近两年来,美国对华为等我国科技企业的芯片封锁,验证了几年前外媒对“中国芯”的评价--比较落后,但“中国芯”的落后是指传统的硅基芯片。
高通中国研发总监徐晧在5G技术演进分享会上表示,目前已有205多家运营商部署了5G商用网络,280多家运营商正在投资5G技术。
作为IDM 2.0战略中的重要一环,Intel昨晚正式宣布了欧洲地区的芯片投资计划,10年内计划投资800亿欧元(约合5580亿人民币),首批投资330亿欧元,涉及德国、法国等多个国家,还计划量产2nm以下的芯片。
2021年Intel在半导体芯片上有个战略转变,除了自建工厂生产自家处理器之外,还要重新进入代工市场,同时也加强与晶圆代工厂的合作,此前有消息称他们已经拿了台积电3nm一半产能,现在又要跟台积电合作开发2nm工艺。
中国台湾省多个当地媒体报道称,台积电公司总裁魏哲家表示,台积电近年在新竹、台南、高雄都积极扩厂投资,为考量产能的平衡以及风险的分散,台中一定是扩厂的选择之一。
在先进半导体工艺上,台积电目前是无可争议的老大,Q3季度占据全然53%的晶圆代工份额,三星位列第二,但份额只有台积电的1/3,所以三星押注了下一代工艺,包括3nm及未来的2nm工艺。
IBM中国日前发布视频,题为《YYDS!IBM发布全球首个2nm芯片》。
这两年,台积电、三星在先进工艺上你追我赶,下一步比拼的就是3nm、2nm。
昨天,Intel公布了全新的CPU工艺路线图,7、4、3、20A、18A制程以及各种封装技术轮番登场,还宣布将为亚马逊、高通提供代工服务。
日前,IBM宣布造出了全球第一颗2nm工艺的半导体芯片。
据摩尔定律延续,由14nm,7nm,再到5nm,芯片制程工艺技术一直在突破。在5nm刚刚起步实现大规模突破的时候,台积电对于2nm芯片工艺技术的研发就已经实现重大突破,并开始向1nm制程迈进。
据台媒透露,有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构,台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构,研发进度超前。根据台积电近年来整个先进制程的布局,业界估计,台积电2nm将在2023下半年推出,有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单,狠甩三星。
8月26日消息,据台湾媒体报道,台积电正规划建2nm及3nm厂,未来资本支出有望高达新台币1.2兆元(约合人民币2822亿元),台积电供应商汉唐、帆宣将受惠。 台积电 台积电昨日在技术论坛说明最新建
根据台湾经济日报报道,近日台积电在2nm研发上取得重大突破,目前已找到路径,将切入全环栅场效应晶体管GAA,这是台积电继从鳍式场效应晶体管FinFET技术取得全球领先地位之后,向另一全新的技术节点迈进