台积电芯片研发超前，半导体工艺芯片蚀刻起重要作用

据台媒透露，有别于3nm与5nm采用鳍式场效晶体管(FinFET)架构，台积电2nm改采全新的多桥通道场效晶体管(MBCFET)架构，研发进度超前。根据台积电近年来整个先进制程的布局，业界估计，台积电2nm将在2023下半年推出，有助于其未来持续拿下苹果、辉达等大厂先进制程大单，狠甩三星。

几十年来，半导体行业进步的背后存在着一条金科玉律，即摩尔定律。摩尔定律表明：每隔 18~24 个月，集成电路上可容纳的元器件数目便会增加一倍，芯片的性能也会随之翻一番。

然而，在摩尔定律放缓甚至失效的今天，全球几大半导体公司依旧在拼命厮杀，希望率先拿下制造工艺布局的制高点。

台积电5nm已经量产，3nm预计2022年量产，2nm研发现已经取得重大突破!

由这个事情，想必大家肯定会联系到现在的华为，事实证明必须拥有自己的核心技艺才行，才不会处处被卡，才能不断发展进步创造更好价值。

俗话说的好，要想跑得快，先要把路走稳，也就是说，基础要打好，一栋高楼大厦，地基如果不扎实，恐怕5级风都会被吹塌。作为电路板、半导体最基础的蚀刻行业更是如此。

这里先简单给大家介绍一下何为蚀刻：

刻蚀(Etching)，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。

蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。

最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版，也广泛地被使用于减轻重量(Weight Reduction)仪器镶板，铭牌及传统加工法难以加工之薄形工件等的加工;经过不断改良和工艺设备发展，亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工，特别在半导体制程上，蚀刻更是不可或缺的技术。

从工艺流程上，分为两种：

1、干法刻蚀：利用等离子体将不要的材料去除(亚微米尺寸下刻蚀器件的最主要方法)。

2、湿法刻蚀：利用腐蚀性液体将不要的材料去除。

相较而言湿法刻蚀在相关产业的生产过程中应用比较普遍，在我们的日常生活中也随处可见例如：金属版画、指示标牌、电梯轿厢内的装饰板等等，湿法刻蚀在加工过程中主要采用两种方法：

一、曝光法：工程根据图形开出备料尺寸-材料准备-材料清洗-烘干→贴膜或涂布→烘干→曝光 → 显影 →烘干-蚀刻→脱膜→OK

二、网印法：开料→清洗板材(不锈钢其它金属材料)→丝网印→蚀刻→脱膜→OK

以上两种工艺的流程在上产过程中都存在着工艺复杂，耗时费力的问题，而在其加工过程中所造成的环境污染问题更是严重制约着行业的发展，在强调节能减排的今天，如何能够做到既环保又可以提高生产效率成为了每一个蚀刻业者追求的目标。

蚀刻优版加工工艺的研发成功正是应市场所需，目的就是为了解决以上所提到的问题。

从此工艺上由繁变简，通过打印的方式，将抗蚀刻油墨直接打印在板材上，即打即热固，打印完成，立即蚀刻。这项技术为数码化生产提供了更多优化的方案。

蚀刻优版加工工艺对比上述工艺只需三步即可完成蚀刻前工作：

图文定稿、蚀刻掩膜打印、打印完成，立即蚀刻。蚀刻优版的广泛应用，必将促进国内蚀刻业的快速发展。