Patrick DorseyAltera公司产品营销资深总监14nm FinFET 工艺的杀手锏级应用纵观过去五代的发展,制程微缩在高端器件上平均可提供20%的性能提升。通过下一代高端Stratix 10系列将同时在工艺和架构上实现创新。Altera将
FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成类
FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成
FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成类
晶圆代工大厂台积电(TSMC)日前宣布,在开放创新平台(Open Innovation Platform,OIP)架构下成功推出三套全新经过矽晶验证的参考流程,协助客户实现 16FinFET 系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计,电子设计自动化
FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成类
台积电宣布16奈米OIP3套全新参考设计流程确立。台积电17日宣布,在开放创新平台(OIP)架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程,协助客户实现16FinFET系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计;同时更可提供客户即
FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成类
iPhone5S推出后燃起外资圈对台积电吃下苹果订单的热情,日商大和证券指出,台积电供货苹果的量,需等到明年首季才会放大,预估明年将出货16.5万片20纳米晶圆给苹果,惟台积电股价已涨至105元短线满足点,将转为区间盘
FinFET称为鳍式场效晶体管,由于晶体管的形状与鱼鳍的相似性而得到该命名。这是一种新的互补式金氧半导体(CMOS)晶体管。FinFET是对场效晶体管的一项创新设计,变革了传统晶体管结构,其控制电流通过的闸门被设计成
21ic讯 亮点:• Laker定制设计解决方案已经通过TSMC 16-nm FinFET制程的设计规则手册(DRM)第0.5版认证• Laker支持TSMC 16-nm v0.5 iPDK的功能包括:复杂的FinFET桥接规则、双重图形曝光(double-pattern)、
半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术,对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术,促使市场竞争态势急速升温。
台积电宣布16奈米OIP 3套全新参考设计流程确立。台积电17日宣布,在开放创新平台(OIP)架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程,协助客户实现16FinFET系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计;同时更可提供
台积电宣布16奈米OIP3套全新参考设计流程确立。台积电17日宣布,在开放创新平台(OIP)架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程,协助客户实现16FinFET系统单晶片(SoC)与三维晶片堆叠封装设计;同时更可提供客户即
半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术,对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术,促使市场竞争态势急速升温。
台积电(2330)16纳米制程打集体战再迈大步,昨(17)日宣布为16纳米FinFET(鳍式场效晶体管)等先进制程架构的开放创新平台(OIP)提供三套制程设计,协助客户快速导入这项新制程。 台积电研究发展副总经理侯永清指
晶圆代工龙头台积电(2330)昨(17)日宣布,在开放创新平台(OIP)架构下成功推出三套全新经过矽晶验证的参考流程,协助客户实现16纳米鳍式场效晶体管(FinFET)制程系统单芯片与三维芯片(3D IC)堆叠封装设计,电
台积电今天宣布16奈米OIP 3套全新参考设计流程确立。(图:台积电提供) 台积电(2330-TW)(TSM-US)今(17)日宣布,在开放创新平台(OIP)架构下成功推出3套全新经过矽晶验证的参考流程,协助客户实现16FinFET系统单
“工艺是基础,设计是龙头。工艺研发模式、产品设计思路都将发生根本性变化,设计必须与工艺紧密结合。”日前在上海举行的“第六届中国IC设计公司成就奖”颁奖典礼上,中国半导体行业协会IC设计分会理事长魏少军教授
半导体业界已发展出运用FinFET的半导体制造技术,对制程流程、设备、电子设计自动化、IP与设计方法产生极大变化。特别是IDM业者与晶圆代工厂正竞相加码研发以FinFET生产应用处理器的技术,促使市场竞争态势急速升温。