赛普拉斯半导体公司推出了业界首款单片具有144-Mbit密度的SRAM,该产品成为其65纳米SRAM产品系列中的最新成员。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存储器采用65纳米工艺技术,由台湾联华电子(UMC)的芯片
赛普拉斯半导体日前宣布推出一款1-Mbit串行非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)系列,以及新的拥有集成实时时钟(RTC)的4-Mbit 和 8-Mbit nvSRAM。赛普拉斯的nvSRAM是基于其S8™ 0.13-微米 SONOS(Silicon Ox
2009年秋季英特尔信息技术峰会(Intel Developer Forum, IDF)于9月22日至24日在美国旧金山举行。今天,英特尔总裁兼首席执行官保罗•欧德宁(Paul Otellini)展示了世界上第一款基于22纳米制程技术的芯片。英特尔继
全球LED产业格局为美国、亚洲、欧洲三足鼎立,世界主要厂商分布在美国、日韩、欧盟等地。他们拥有核心技术和专利,在GaN基蓝光LED、白光LED等技术上处于领先地位。由此造成全球LED高端产品市场集中度较高,Cree、Phi
科锐(CREE) 技术优势 1.SiC基Ⅲ族氮化物外延、芯片级封装技术; 2.大功率芯片和封装技术。 旗舰产品 XLamp 2008-2009年企业状况 2008年,Cree公司实现了年收入25%的增长,达到4.93亿美元,其中LED产品销
Ramtron International Corporation推出并口F-RAM存储器FM14C88,适合RAID(磁碟阵列)存储服务器及主机总线适配卡 (HBA card) 等应用。与nvSRAM相比,FM14C88的读写速度更快, 工作电压更低。FM14C88 的容量为256Kb、工
随着创新能力在全球范围内不断扩展,市场呈现出“消费化”趋势:新产品的设计周期、市场寿命缩短,而对于产品的节能、效率、设计灵活性以及可靠性要求却日益增加,相对于ASIC、ASSP,FPGA的上市时间、开发成本、灵活
台积电24日宣布率业界之先,不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率,而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的
虽然大家都知道,LED灯仅会耗费小部分的能量,就能产生与白炽灯泡同样的光量,不过这只是我们所知的其中一小部分。有研究报告指出,其实LED灯与一般节能灯泡的能源效率相去不远,而且LED灯整体生产过程可能相当耗能。
引 言 目前,通信干扰的手段以信号大功率压制为主,本质上属于物理层能量干扰,存在效费比低,且容易暴露自身目标等缺点,而且随着新的功率控制和信号处理技术的应用,通信大功率压制干扰手段的应用遇到了瓶颈。
美国IBM公司、AMD以及纽约州立大学Albany分校的纳米科学与工程学院(CNSE)等机构共同宣布,世界上首个22纳米节点静态存储单元(SRAM)研制成功。这也是全世界首次宣布在300毫米研究设备环境下,制造出有效存储单元。
引 言 目前,通信干扰的手段以信号大功率压制为主,本质上属于物理层能量干扰,存在效费比低,且容易暴露自身目标等缺点,而且随着新的功率控制和信号处理技术的应用,通信大功率压制干扰手段的应用遇到了瓶颈。