HOLTEK半导体累积多年来的回音IC市场技术经验,推出新一代回音IC : HT8972。 HT8972内建40KB SRAM (前一代 回音IC HT8970内建20KB SRAM),让回音效果更细腻,信噪比更高。HT8972内含4个运算放大器,并内建AD/DC 转换
据Businesswire网站报道,东芝、IBM和AMD日前宣布,三方采用FinFET共同开发了一种静态随机存储器(SRAM)单元,其面积仅为0.128平方微米,是世界上最小的实用SRAM单元。 该存储单元采用高电介质金属栅极(high-
台湾联华电子(United Microelectronics,UMC)采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极技术,试制出45nm工艺的SRAM英文发布资料。至此,实现32/28nm工艺用high-k/金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了2
BASF和OSRAM两大公司近来宣布了一则好消息,来自德国实验室的研究成果将OLED的发光效率提高到了60流明/瓦。 BASF和OSRAM研制的高效白色OLED材料不但能将发光效率提升至60流明/瓦,符合能源之星通用照明产品标准,
欧司朗光电半导体(OSRAM Opto Semiconductors)推出两款全新的MultiLED,锁定不同的 LED视讯显示器使用。 深黑封装的新MultiLED设计针对高分辨率显示器,是目前市场上最深黑色的LED,拥有出色的对比度和极佳的色彩深
IBM研究小组声称,他们已与联合行业及大学开发伙伴共同制造出世界最小的SRAM位单元。该SRAM位单元采用22nm设计规则制造,大小仅0.1mm2。 此款SRAM是IBM与AMD、飞思卡尔、意法半导体、东芝以及纽约的奥尔巴尼大学纳
台湾代工厂商联电(UMC)展示了28nm制程的SRAM芯片,为推出28nm制程奠定基础。该技术既支持高k金属栅也支持二氧化硅制程。 UMC在300mm晶圆厂中进行28nm制程的研发,晶体管密度是40nm制程的两倍。在28nm平台上,UMC也
MIPS32 M4K处理器内核SRAM接口应用
IBM生产出首个22纳米工艺SRAM芯片
日前,赛普拉斯半导体公司推出 2 Mbit 和 8 Mbit 非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM),进一步丰富了公司旗下从 16 Kbit 到 8 Mbit 的nvSRAM 产品系列。
CombOLED是欧盟的第七协作研发框架计划的项目。其目标是整合新设备的结构,充分利用先进的制造技术以及复杂度低的材料,从而开发出性价比高的基于OLED的照明技术。 该项目由OSRAMOpto半导体公司牵头,于2008年1月