台积电28纳米SRAM良率突破
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台积电24日宣布率业界之先，不但达成28纳米64Mb SRAM试产良率，而且分别在28纳米高效能高介电层/金属闸(简称28HP)、低耗电高介电层/金属闸(简称28HPL)与低耗电氮氧化硅(简称28LP)等28纳米全系列工艺验证均完成相同的良率。
台积电研究发展副总经理孙元成博士表示：“所有三种28纳米系列工艺皆已由64Mb SRAM芯片完成良率验证，是一项傲人的成就。更值得一提的是，此项成果亦展现我们两项高介电层/金属闸(High-k Metal Gate)工艺采用gate-last方法而获得的制造效益。”
台积电先进技术事业资深副总经理刘德音博士表示：“这项突破突显出台积电28纳米工艺的能力与价值。我们不仅有能力延伸传统惯用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride)材料至28纳米世代，也能够同时推出28纳米的高介电层/金属闸(High-k Metal Gate)材料的工艺。”
台积电28纳米工艺的开发与导入量产计划，完全符合2008年九月所宣布的技术蓝图在进行。28LP工艺预计于2010年第一季底进行试产，接着28HP工艺于第二季底试产，28HPL则于第三季试产。
28LP工艺具备可快速上市以及低成本的特性，特别适用于手机与各式行动应用。28HP工艺则适用于中央处理器(CPU)、绘图处理器(GPU)、芯片组(Chipset)与可程式化闸阵列(FPGA)、网络、游戏主机与行动计算等高效能导向之应用。至于28HPL工艺则强调低耗电、低漏电与中高效能的特性，可用以支援诸如手机、智能上网本(smart netbook)、无线通讯与可携式消费性电子等低漏电导向之应用。
台积电28纳米工艺均拥有完备的设计架构，奠基于台积电的开放创新平台(Open Innovation Platform)，延伸出多强而有力的技术生产各式不同的产品。
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