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[导读] 台湾联华电子(United Microelectronics,UMC)采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极技术,试制出45nm工艺的SRAM英文发布资料。至此,实现32/28nm工艺用high-k/金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了2

台湾联华电子(United Microelectronics,UMC)采用high-k栅极绝缘膜和金属栅极技术,试制出45nm工艺的SRAM英文发布资料。至此,实现32/28nm工艺用high-k/金属栅极技术的第一阶段已完成。该公司2008年10月试制出了28nm工艺的SRAM,加上此次的成果,预计2010年能够开发32/28nm工艺技术。

该公司试制的28nm工艺SRAM利用了低泄漏工艺技术。该技术采用了基于液浸光刻(Lithography)的两次图形曝光技术和应变硅技术。UMC的32/28nm工艺按不同用途有两种生产技术。一种是面向便携设备等使用的IC,利用了原Si栅极/SiON栅极绝缘膜的低泄漏工艺;另一种是面向图形处理器和应用处理器等高性能元件的high-k/金属栅极导入工艺。


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