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存储密度最高的ARM9标准微控制器（ST）
时间：2008-04-14 13:07:00
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[导读]意法半导体（ST）扩大其基于ARM966E-S内核的STR91xFA系列微控制器的片内闪存容量，推出两款闪存容量为1.1MB和2.1MB的新产品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI内核的标准微控制器市场上创下存储密度的最高记录。
意法半导体（ST）扩大其基于ARM966E-S内核的STR91xFA系列微控制器的片内闪存容量，推出两款闪存容量为1.1MB和2.1MB的新产品，在目前基于ARM9，或ARM7-TDMI内核的标准微控制器市场上创下存储密度的最高记录。新产品的引脚和功能兼容现有的288KB和544KB闪存的LQFP-80、LQFP-128和BGA-144封装的产品，让工程师轻松地扩展或缩减应用设计的功能，而不会让电路板增加过高的成本。
作为首个集成ARM966E-S CPU内核和以太网接口以及大容量存储器（包括96KB的SRAM）的产品系列，STR91xFA系列现在能够进一步提高联网嵌入式系统的性能，例如，网络服务器、打印机控制器以及其它需要存储大量代码和数据的应用设备。新产品的目标应用还包括销售终端设备及外设、工厂自动化设备、串行协议网关、安全监控设备和楼宇自动化系统。
通过使用1.1MB的STR91xFAx46和2.1MB的STR91xFAx47两款产品，设计工程师利用片内存储器可以开发复杂程度更高的嵌入式功能，强化设备预防系统被入侵的安全性能，节省电路板空间和材料成本。STR910xFA单片解决方案集成以太网、USB和CAN接口，以及一个10位模数转换器、多个定时器和80支5V通用输入输出引脚，能够把嵌入式控制应用变成一个低成本的局域网或互联网节点。
在基于以太网的解决方案中使用新的STR91x微控制器，设计人员还可以免权利金使用ST最近发布的TCP/IP协议栈。这套软件不仅能够加快应用的开发速度，而且占用内存空间小于12KB。
STR91x系列产品内核采用ARM966E-S™ CPU，通过在ARM7TDMI架构基础上提升多项性能，ARM966E-S™ 在96 MHz时最高处理性能达到96 MIPS。改进性能包括在内核与高速突发闪存和零延迟SRAM之间增加独立的内部总线，每条总线都是通过优化的紧耦合存储器（TCM）高速存取接口连接到内核。此外，ARM966E-S内核还支持单循环数字信号处理（DSP）指令，使STR910F 能够同时满足控制和信号处理两种需求，其优势明显高于传统的DSP和控制处理器分立的解决方案。
STR91xFA46和STR91xFA47现货供应。
作为首个集成ARM966E-S CPU内核和以太网接口以及大容量存储器（包括96KB的SRAM）的产品系列，STR91xFA系列现在能够进一步提高联网嵌入式系统的性能，例如，网络服务器、打印机控制器以及其它需要存储大量代码和数据的应用设备。新产品的目标应用还包括销售终端设备及外设、工厂自动化设备、串行协议网关、安全监控设备和楼宇自动化系统。
通过使用1.1MB的STR91xFAx46和2.1MB的STR91xFAx47两款产品，设计工程师利用片内存储器可以开发复杂程度更高的嵌入式功能，强化设备预防系统被入侵的安全性能，节省电路板空间和材料成本。STR910xFA单片解决方案集成以太网、USB和CAN接口，以及一个10位模数转换器、多个定时器和80支5V通用输入输出引脚，能够把嵌入式控制应用变成一个低成本的局域网或互联网节点。
在基于以太网的解决方案中使用新的STR91x微控制器，设计人员还可以免权利金使用ST最近发布的TCP/IP协议栈。这套软件不仅能够加快应用的开发速度，而且占用内存空间小于12KB。
STR91x系列产品内核采用ARM966E-S™ CPU，通过在ARM7TDMI架构基础上提升多项性能，ARM966E-S™ 在96 MHz时最高处理性能达到96 MIPS。改进性能包括在内核与高速突发闪存和零延迟SRAM之间增加独立的内部总线，每条总线都是通过优化的紧耦合存储器（TCM）高速存取接口连接到内核。此外，ARM966E-S内核还支持单循环数字信号处理（DSP）指令，使STR910F 能够同时满足控制和信号处理两种需求，其优势明显高于传统的DSP和控制处理器分立的解决方案。
STR91xFA46和STR91xFA47现货供应。
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