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奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日：携手谱写汽车电子技术新篇章
中国上海，2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司（以下简称“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”圆满落幕。奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士、罗姆高级执行官 阪井 正树等多位高层领导出席本次活动。双方技术专家及供应链核心伙伴齐聚一堂，共话汽车电子前沿技术，致力于为未来智慧出行注入强劲创新动力。
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基于SiC的熔丝保护高压电气系统
在减少排放和实现净零目标的前进道路上，碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件（例如电机驱动器）或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。随着越来越多的应用集成电气系统，对电路保护的需求至关重要。维修或更换组件的成本可能很高，因此设计人员正在实施更强大的电路保护方法。仅限于保护线路的电路中断装置对于敏感的电子负载已不再足够。电子电路中断解决方案（例如电子熔丝）可以保护线路并限制传输到故障负载的短路允通电流和能量，从而可以防止负载自身损坏。
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罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”
应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升
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IGBT 主导新能源汽车上半场，SiC 提速上车剑指新周期
在新能源汽车产业蓬勃发展的浪潮中，功率器件作为核心 “大脑”，其重要性不言而喻。回顾过往，IGBT 主导了新能源汽车的上半场，而如今，SiC 正加速上车，开启新的发展周期。
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SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。
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SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。
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为下一代800V电动汽车牵引逆变器平台带来更长续航与长期的卓越性能
为实现零排放的未来，汽车行业迫切需要重塑。汽车制造商必须加速推出差异化的电动车型。恩智浦携手Wolfspeed，共同推出一款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计，有效帮助电动汽车系统架构师克服诸多技术障碍。
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TrendForce集邦咨询: SiC衬底市场2024年营收年减9%，但长期需求乐观
May 12, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新研究，受2024年汽车和工业需求走弱，SiC衬底出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type(导电型)SiC衬底产业营收年减9%，为10.4亿美元。
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英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升
【2025年5月7日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。
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2025 慕展回顾 | MPS展会资料一键下载！
4月15 日 - 17日，MPS携“汽车智驾、绿色能源、人工智能、新型工业”四大主题，惊艳亮相慕尼黑上海电子展。MPS 工程师团队为现场观众展示了 60+ 最新产品Demo，涵盖汽车雷达、智能座舱、传感器、电机驱动、储能BMS、SiC 新品、AI解决方案、ACDC、电源模块、隔离电源、ADC、音频功放、工业电机等多个领域的前沿技术和专业解决方案！ 下面，我们就一起来看看这些丰富的展品有哪些亮点吧~
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SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效
国际能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。
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SiC MOSFET驱动设计，LED照明系统中的效率与散热协同优化
在LED照明技术持续演进的背景下，功率半导体器件的性能成为制约系统效率与可靠性的核心因素。碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)凭借其高开关频率、低导通损耗与高温稳定性，逐渐成为LED驱动电路的首选方案。然而，SiC MOSFET的驱动设计需在效率提升与散热管理之间寻求动态平衡，这一过程涉及驱动电路拓扑、材料选择、封装工艺及控制策略的多维度协同优化。
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Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET
全新X.PAK封装融合卓越散热性能、紧凑尺寸与便捷封装特性，适用于高功率应用场景
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英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》：GaN将在多个行业达到应用临界点，进一步提高能源效率
【2025年2月26日, 德国慕尼黑讯】在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际，英飞凌科技股份公司(FSE代码：IFX / OTCQX代码： IFNNY)一直站在创新前沿，利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。
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英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品
【2025年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。
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基于SiC的高电压电池断开开关的设计注意事项
得益于固态电路保护，直流母线电压为400V或以上的电气系统（由单相或三相电网电源或储能系统（ESS）供电）可提升自身的可靠性和弹性。在设计高电压固态电池断开开关时，需要考虑几项基本的设计决策。其中关键因素包括半导体技术、器件类型、热封装、器件耐用性以及电路中断期间的感应能量管理。在本文中，我们将讨论在选择功率半导体技术和定义高电压、高电流电池断开开关的半导体封装时的一些设计注意事项，以及表征系统的寄生电感和过流保护限值的重要性。
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首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET提供卓越的栅极驱动器保护
专为下一代电动汽车基础设施而设计，为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案
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非线性损耗建模可准确估计 SiC 转换器性能
碳化硅 (SiC) MOSFET 因其技术固有的特性(例如高电压能力、较低的导通电阻、耐高温操作以及相对于硅更高的功率密度)而越来越受到电源系统设计人员的欢迎。因此，基于 SiC 的转换器和逆变器是电池供电车辆 (BEV)、可再生能源以及需要最高效率的所有其他应用的最佳选择。
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SiC和GaN的可靠性
近年来，电力电子应用中越来越多地从硅转向碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN)。在过去的十年中，后者已被委托给SiC和GaN半导体，这无疑为电气化和强劲的未来铺平了道路。由于其固有特性，宽带隙半导体在许多电力应用中正在逐步取代传统的硅基器件。硅现在已经风光无限，其应用的可靠性一直非常高。现在，有必要验证这两种新型半导体从长远来看是否可以提供相同的安全前景，以及它们在未来是否对设计人员来说是可靠的。
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电力电子热管理的未来趋势
在快速发展的电力电子领域，热管理已成为确保设备可靠性、效率和寿命的关键因素。这对于电动汽车等能源密集型行业尤其重要，其中碳化硅(SiC) 和氮化镓 (GaN) 电子电路解决方案(例如逆变器、转换器和充电电路)正在彻底改变这一领域。
