-
罗姆携众多先进解决方案和技术亮相2025 PCIM Asia Shanghai
中国上海，2025年9月11日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)今日宣布，将于9月24日～26日参加上海国际电力元件、可再生能源管理展览会暨研讨会(以下简称PCIM Asia Shanghai)。届时，罗姆将展示其在工业设备和汽车领域中卓越的SiC和GaN产品和技术。同时，罗姆还将在现场举办技术研讨会，分享其最新的电力电子解决方案。
-
TrendForce集邦咨询: 2Q25全球牵引逆变器装机量年增19%，增程式电动车助力SiC机种普及
Sept. 10, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新发布的《全球电动车逆变器市场数据》，2025年第二季受惠纯电动车(BEV)销售成长，全球电动车(注1)牵引逆变器装机量达766万台，年增19%。从动力模式分析，BEV的装机比例为52%，继2024年第一季后再度位列第一，甚至超越油电混合车(HEV)、插电混合式电动车(PHEV)、增程式电动车(REEV)等混合动力车的合计占比。
-
搭载罗姆SiC MOSFET的舍弗勒逆变砖开始量产
中国上海，2025年9月10日——全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)与德国大型汽车零部件供应商舍弗勒集团(总部位于德国赫尔佐根奥拉赫，以下简称“舍弗勒”)宣布，作为战略合作伙伴关系的重要里程碑，舍弗勒开始量产搭载罗姆SiC(碳化硅)MOSFET裸芯片的新型高电压逆变砖。这是面向中国大型汽车制造商设计的产品。
-
e络盟全面开售 Nexperia 广泛新品组合
中国上海，2025 年9月9日 — Nexperia 每年增加 800 多种新产品类型。2024 年，仅模拟和电源管理应用便推出了超过 70 种新部件。为支持 Nexperia 产品扩展，e络盟紧跟其不断扩大的产品组合，扩充了自身的库存产品型号范围，以便更精准的服务全球工程师。
-
X-FAB现推出GaN-on-Si代工服务
XG035 dMode工艺将提供MPW、原型设计及量产服务
-
拆解安森美核心光伏方案：从器件到系统，全面推动能效提升
太阳能逆变器种类丰富，可按类型（集中式、组串式、微型）或终端应用场景（住宅、商业、公用事业）进行划分。目前，组串式逆变器因具备灵活性高、易于安装的特点而应用最为广泛。随着功率器件的不断迭代升级，单台逆变器的功率水平与功率密度持续提升，而单价和尺寸却不断下降，这使其成为太阳能逆变器市场的主流产品。
-
东芝推出采用TOLL封装的第3代650V SiC MOSFET
-三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-
-
Vishay Gen 3 650 V和1200 V SiC肖特基二极管在提高效率的同时增强电绝缘性
这些1 A和2 A器件采用小尺寸SlimSMA HV (DO-221AC)封装，提供了低电容电荷和3.2 mm的较大最小爬电距离
-
开启电子热管理技术圈的正向设计之门|鲁欧智造第三届用户大会成功举办
7月18日，由鲁欧智造(山东)数字科技有限公司主办、中关村集成电路设计园、北航确信可靠性联合实验室协办的第三届用户大会在北京朗丽兹西山花园酒店成功举办。本次大会以“开启电子热管理技术圈的正向设计之门”为主题，吸引了来自全国各地的300余名行业专家、企业代表及技术精英齐聚北京。
-
奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日：携手谱写汽车电子技术新篇章
中国上海，2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司（以下简称“奇瑞”）于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交流日”圆满落幕。奇瑞汽车股份有限公司执行副总裁 高新华博士、罗姆高级执行官 阪井 正树等多位高层领导出席本次活动。双方技术专家及供应链核心伙伴齐聚一堂，共话汽车电子前沿技术，致力于为未来智慧出行注入强劲创新动力。
-
基于SiC的熔丝保护高压电气系统
在减少排放和实现净零目标的前进道路上，碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件（例如电机驱动器）或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。随着越来越多的应用集成电气系统，对电路保护的需求至关重要。维修或更换组件的成本可能很高，因此设计人员正在实施更强大的电路保护方法。仅限于保护线路的电路中断装置对于敏感的电子负载已不再足够。电子电路中断解决方案（例如电子熔丝）可以保护线路并限制传输到故障负载的短路允通电流和能量，从而可以防止负载自身损坏。
-
罗姆的SiC MOSFET应用于丰田全新纯电车型“bZ5”
应用于牵引逆变器，助力续航里程和性能提升
-
IGBT 主导新能源汽车上半场，SiC 提速上车剑指新周期
在新能源汽车产业蓬勃发展的浪潮中，功率器件作为核心 “大脑”，其重要性不言而喻。回顾过往，IGBT 主导了新能源汽车的上半场，而如今，SiC 正加速上车，开启新的发展周期。
-
SiC MOSFET 并联的关键技术
基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。当单个 MOSFET 无法满足功率需求时，再并联一颗MOSFET即可解决问题。
-
SiC 市场的下一个爆点：共源共栅（cascode）结构详解
碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其他竞争技术具有一些显著的优势，特别是在给定芯片面积下的低导通电阻（称为RDS.A）。为了实现最低的RDS.A，需要权衡的一点是其常开特性，这意味着如果没有栅源电压，或者JFET的栅极处于悬空状态，那么JFET将完全导通。
-
为下一代800V电动汽车牵引逆变器平台带来更长续航与长期的卓越性能
为实现零排放的未来，汽车行业迫切需要重塑。汽车制造商必须加速推出差异化的电动车型。恩智浦携手Wolfspeed，共同推出一款经过全面验证的800V牵引逆变器参考设计，有效帮助电动汽车系统架构师克服诸多技术障碍。
-
TrendForce集邦咨询: SiC衬底市场2024年营收年减9%，但长期需求乐观
May 12, 2025 ---- 根据TrendForce集邦咨询最新研究，受2024年汽车和工业需求走弱，SiC衬底出货量成长放缓，与此同时，市场竞争加剧，产品价格大幅下跌，导致2024年全球N-type(导电型)SiC衬底产业营收年减9%，为10.4亿美元。
-
英飞凌SiC超结技术树立新标准，加速电动汽车普及与工业效率提升
【2025年5月7日, 德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。目前，CoolSiC™产品系列覆盖了400 V至3.3 kV的电压范围，应用领域包括汽车动力传动系统、电动汽车充电、光伏系统、储能及高功率牵引逆变器等。现在，英飞凌又凭借丰富的SiC业务开发经验以及在硅基电荷补偿器件（CoolMOS™）领域的创新优势，推出了SiC沟槽型超结（TSJ）技术。
-
2025 慕展回顾 | MPS展会资料一键下载！
4月15 日 - 17日，MPS携“汽车智驾、绿色能源、人工智能、新型工业”四大主题，惊艳亮相慕尼黑上海电子展。MPS 工程师团队为现场观众展示了 60+ 最新产品Demo，涵盖汽车雷达、智能座舱、传感器、电机驱动、储能BMS、SiC 新品、AI解决方案、ACDC、电源模块、隔离电源、ADC、音频功放、工业电机等多个领域的前沿技术和专业解决方案！ 下面，我们就一起来看看这些丰富的展品有哪些亮点吧~
-
SiC MOSFET 如何提高 AI 数据中心的电源转换能效
国际能源署 (IEA) 指出，人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。
