英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品

•英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品

•这些产品在奥地利菲拉赫生产，为高压应用领域提供一流的SiC功率技术

•200 mm SiC的生产将巩固英飞凌在所有功率半导体材料领域的技术领先优势

【2025年2月18日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）在200 mmSiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为高压应用领域提供先进的SiC功率技术，包括可再生能源系统、铁路运输和电动汽车等。此外，英飞凌位于马来西亚居林的生产基地正在从150 mm晶圆向直径更大、更高效的200 mm晶圆过渡。新建的第三厂区将根据市场需求开始大批量生产。

英飞凌200mm SiC晶圆

英飞凌科技首席运营官Rutger Wijburg博士表示：“我们正在按计划实施SiC产品的生产，并且十分高兴将开始为客户提供首批产品。通过菲拉赫和居林生产基地的SiC产品分阶段进入量产，我们正在提升成本效益并持续保证产品质量，同时确保我们的产能满足客户对SiC功率半导体的需求。”

英飞凌200mm SiC晶圆

SiC半导体为大功率应用带来了变革，它进一步提高了电源开关的效率、在极端条件下具有高度的可靠性和稳健性，并且能够实现更小尺寸的设计。借助英飞凌的SiC产品，客户能够为电动汽车、快速充电站和铁路运输，以及可再生能源系统和AI数据中心开发节能解决方案。向客户提供首批基于200 mm晶圆技术的SiC产品标志着英飞凌在SiC产品路线图上迈出了实质性的一步，该路线图的重点是为客户提供全面的高性能功率半导体产品组合，推动绿色能源的发展并对二氧化碳的减排做出贡献。

作为专注于高度创新宽禁带（WBG）技术的“英飞凌虚拟协同工厂”，英飞凌位于菲拉赫和居林的生产基地通过共享技术和制程工艺，实现了SiC和氮化镓（GaN）产品制造的快速进入量产和平稳高效的运营。现在，200 mm SiC的生产为英飞凌业界领先的半导体技术和功率系统解决方案锦上添花，巩固了公司在硅以及碳化硅和氮化镓等整个功率半导体领域的技术领先优势。