Nexperia推出采用行业领先顶部散热型封装X.PAK的1200 V SiC MOSFET

奈梅亨，2025年3月20日：Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率(工业)应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性能表现。这些器件在电池储能系统(BESS)、光伏逆变器、电机驱动器以及不间断电源(UPS)等工业应用场景中表现卓越。此外，在包括充电桩在内的电动汽车充电基础设施领域同样能发挥出众效能。

X.PAK封装允许将散热器直接连接至引线框架，进一步提升了Nexperia SiC MOSFET的散热性能，实现从外壳顶部高效散热。这一设计有效降低了通过PCB散热所带来的负面影响。同时，Nexperia的X.PAK封装使表面贴装组件具备低电感特性，并支持自动化电路板封装流程。

新款X.PAK封装器件具备Nexperia SiC MOSFET一贯的优异品质因数(FoM)。其中，RDS(on)作为关键参数，对导通损耗影响显著。然而，许多制造商往往仅关注该参数(常温)的标称值，却忽略了一个事实，即随着器件工作温度的升高，标称值可能会增加100%以上，从而造成相当大的导通损耗。与之不同，Nexperia SiC MOSFET展现出出色的温度稳定性，在25℃至175℃的工作温度区间内，RDS(on)的标称值仅增加38%。

Nexperia SiC分立器件和模块资深总监兼负责人Katrin Feurle表示：“我们推出采用X.PAK封装的SiC MOSFET，标志着在高功率应用散热管理与功率密度方面取得重要突破。基于此前成功推出的TO-247和SMD D2PAK-7封装分立式SiC MOSFET器件，我们研发了这款新型顶部散热的产品方案。这充分彰显了Nexperia致力于为客户提供先进、灵活的产品组合，以满足其不断进化的设计需求的坚定承诺。”

首批产品组合涵盖RDS(on)值为30、40、60 mΩ的型号(NSF030120T2A0、NSF040120T2A1、NSF060120T2A0)，并计划于2025年4月推出一款17mΩ产品。2025年后续还将推出符合汽车标准的X.PAK封装SiC MOSFET产品系列，以及80 mΩ等更多RDson等级的产品。