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[导读]可调滞后的微处理器复位芯片  摘要:简单的电路可调整,否则固定滞后(上升和下降之间的阈值电压VCC上的差异)是管理着一个3针微处理器复位IC的工作。  基于微处理器的系统往往包括许多可用的3针微处理器复位芯片之

可调滞后的微处理器复位芯片

  摘要:简单的电路可调整,否则固定滞后(上升和下降之间的阈值电压VCC上的差异)是管理着一个3针微处理器复位IC的工作。

  基于微处理器的系统往往包括许多可用的3针微处理器复位芯片之一。这些设备监控单电源轨,并提供了响应系统复位信号,欠压条件。通常表现出这种芯片的固定滞后(上升和下降之间的阈值电压VCC上的差异),但一个简单的电路(图1)可让您调整的电压差。

  图1。在这个电路中,相对湿度和RP值让你决定调整滞后复位时序。

  如上所述1.0V的VIN的上升,低电平有效复位输出低电平表明,输入电压低于阈值的监测。电流从VIN通过反相内部MOSFET驱动器,并通过RH至地面,制定一项全面湿度偏移电压。由于内部参考电压是指接地,偏移电压VCC的上升增加了门槛。在新崛起的阈值可以计算如下

  当VIN上升越过这个门槛,仍然是它上面的复位超时,低有效复位去断言和电流通过相对湿度下降,使VCC的门槛,转回到正常水平。

  考虑与3.08V阈值和10kΩ的上拉电阻器(RP)的一个微处理器复位IC(MAX6383XR31D1)。如果你想上升阈值的3.18V(100mV的滞后),解决对RH(忽略电源电流和有限上MOSFET的输出驱动电阻),并获得324.68Ω上述方程。在标准的1%的电阻值是324Ω最接近。

  示波器照片(图2)显示电路的操作。测量的阈值3.1984V上升和下降的门槛是3.0891V,生产滞后109.3mV。该9.3mV差异(相对于在100mV的计算值)主要是由于MOSFET的导通电阻,电源进入设备电流,电阻公差。

  图2。从图1电路显示100mV的滞后,这些波形。也就是说,在这VCC的电压之差(CH1)的相交的低电平复位(CH2)的上升沿和下降沿是100mV的。

  请注意,相对湿度增加了有源低有效复位输出音量(逻辑,低输出电压)的滞后电压。在这种情况下,第一个措施的127mV最大。因此,你应该检查,以确保连接到低电平复位可以容忍较高的音量的电路。

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