低频功率放大器

一、任务
设计并制作一个低频功率放大器，要求末级功放管采用分立的大功率MOS晶体管。
二、要求
1．基本要求
（1）当输入正弦信号电压有效值为5mV时，在8Ω电阻负载（一端接地）上，输出功率≥5W，输出波形无明显失真。
（2）通频带为20Hz～20kHz。
（3）输入电阻为600Ω。
（4）输出噪声电压有效值V0N≤5mV。
（5）尽可能提高功率放大器的整机效率。
（6）具有测量并显示低频功率放大器输出功率(正弦信号输入时)、直流电源的供给功率和整机效率的功能，测量精度优于5%。
2. 发挥部分
（1）低频功率放大器通频带扩展为10Hz～50kHz。
（2）在通频带内低频功率放大器失真度小于1%。
（3）在满足输出功率≥5W、通频带为20Hz～20kHz的前提下,尽可能降低输入信号幅度。
（4）设计一个带阻滤波器，阻带频率范围为40～60Hz。在50Hz频率点输出功率衰减≥6dB。
（5）其他。
三、说明
1．不得使用MOS集成功率模块。
2．本题输出噪声电压定义为输入端接地时，在负载电阻上测得的输出电压，测量时使用带宽为2MHz的毫伏表。
3．本题功率放大电路的整机效率定义为：功率放大器的输出功率与整机的直流电源供给功率之比。电路中应预留测试端子，以便测试直流电源供给功率。
4．发挥部分（4）制作的带阻滤波器通过开关接入。
5．设计报告正文中应包括系统总体框图、核心电路原理图、主要流程图、主要的测试结果。完整的电路原理图、重要的源程序用附件给出。

四、评分标准