赛普拉斯低引脚数HyperRAM 存储器简化嵌入式系统的设计

美国加利福尼亚州圣何塞，2016年7月6日 —赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票交易代码：CY)今日宣布其基于低引脚数HyperBus™接口的全新高速自刷新动态RAM(DRAM)现开始提供样片。该款64Mb HyperRAM™可用作汽车、工业和消费等各类应用的外置便笺式存储器，用于渲染高分辨率图形或运行数据密集型固件算法。该器件 拥有高达333 MBps的读写带宽，并支持3V和1.8V供电电压。

与赛普拉斯的HyperFlash™ NOR闪存配合使用时，HyperRAM可通过让闪存和RAM共享同一个12引脚HyperBus，为嵌入式系统提供一个简约、经济高效的解决方案。配备SDRAM和Dual-Quad SPI解决方案的传统系统需要使用两条总线上的41个上行引脚来处理数据;HyperRAM与HyperFlash解决方案可将引脚数至少缩减28个，从而简化设计，减低了PCB成本。HyperRAM是汽车仪表盘及信息娱乐系统、通信设备、工业应用和高性能消费电子产品的理想解决方案。

赛普拉斯闪存事业部副总裁Rainer Hoehler表示：“随着高分辨率图形和数据密集型应用在各类系统中日益普及，市场对简约、高性能、可为配备有限板载RAM的控制器提供外置便笺式存储器的DRAM的需求正在不断增长。凭借低引脚数HyperBus接口及其业界领先的读写带宽，我们的全新 64Mb HyperRAM将能满足这一需求。除降低PCB的成本之外，与其他DRAM方案相比，HyperRAM还可通过减少引脚数来降低MCU的成本。”

为加快产品开发速度，赛普拉斯为客户和合作伙伴提供HyperBus主设备接口控制器IP 。该控制器IP可帮助设计人员为其现场可编程门阵列(FPGA)、专用集成电路(ASIC)或专用标准产品(ASSP)主机控制平台添加对HyperBus的支持。该控制器IP支持HyperRAM及HyperFlash产品，而且完全免费和免版税。